【技术实现步骤摘要】
应用于锗单晶生长的掺杂装置
[0001]本技术涉及锗单晶生长
，具体涉及一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。
技术介绍
[0002]掺杂是一种控制锗单晶电阻率的有效方法，一般根据所需电阻率，需要在锗单晶生长前就确定掺杂剂的剂量，一旦完成掺杂，在锗单晶生长开始后就无法再次进行掺杂来对电阻率参数进行调整。
[0003]但是在锗单晶生长开始前掺入杂质的方法不能够进行拉晶过程中电阻率的调整，而目前也没有专用于锗单晶生长过程中的掺杂装置，因此急需一种能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂的掺杂装置。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中锗单晶拉制过程中途无法进行再次掺杂的技术问题，本技术的主要目的在于提供一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。
[0006]该...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。2.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体呈圆柱状，所述容纳腔开设在其侧壁上。3.根据权利要求1或2所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹旭，刘志远，李燕，王博，王宇，张路，雷同光，赵哲，孔腾飞，
申请(专利权)人：有研国晶辉新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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