【技术实现步骤摘要】
双线平行切割硅棒的方法、切割设备及切割系统
[0001]本申请涉及硬质材料切割技术,尤其涉及一种双线平行切割硅棒的方法、切割设备及切割系统。
技术介绍
[0002]随着异质结电池的发展,小片硅片的需求越来越大,而且对薄片的需求量也比较大。硅片厚度从原来180微米到150微米,将来的市场甚至可能需要100微米厚度硅片,而硅片越薄其切割难度就越大,切割质量越不容易保证。
[0003]传统方案中,通常是先将圆柱形的单晶硅棒切割成方棒,然后将方棒切割成大片硅片,再采用激光技术上对大片硅片进行划片切割形成小片硅片,但激光划片的过程会造成小片硅片的横断面产生损伤和缺陷态,严重影响最终加工成的异质结电池的转换效率。
技术实现思路
[0004]为了解决上述技术缺陷之一,本申请实施例中提供了一种双线平行切割硅棒的方法、切割设备及切割系统。
[0005]根据本申请实施例的第一个方面,提供了一种双线平行切割硅棒的方法,包括:
[0006]沿着硅棒的长度方向通过两条平行的切割线对硅棒进行一次切割,切割形成两个 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双线平行切割硅棒的方法,其特征在于,包括:沿着硅棒的长度方向通过两条平行的切割线对硅棒进行一次切割,切割形成两个平行的第一侧面,分别位于硅棒中心线的两侧;沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行两次切割,其中一次通过两条切割线进行切割,另一次通过一条切割线进行切割,三条切割线间隔布设且均与第一侧面垂直相交,得到两个横截面为矩形的小硅棒。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对小硅棒进行切割,得到两个横截面为矩形的子硅棒。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:对小硅棒的每个侧面进行磨削;对小硅棒的每条棱边进行磨削,形成倒角;沿着垂直于硅棒的长度方向对小硅棒进行切割,得到多个硅片。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法,其特征在于,沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行两次切割,包括:沿着硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行一次切割,经两条切割线切割形成的切割面与第一侧面垂直相交,且其中一切割面与硅棒中心线之间的距离小于另一切割面与硅棒中心线之间的距离;沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行一次切割,形成的切割面与第一侧面垂直相交,经两次切割后得到两个横截面为矩形的小硅棒。5.根据权利要求1
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3任一项所述的方法,其特征在于,沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行两次切割,包括:沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行一次切割,形成的切割面与第一侧面垂直相交,且该切割面与硅棒中心线之间的距离小于第一侧面与硅棒中心线之间的距离;沿着硅棒的长度方向通过两...
【专利技术属性】
技术研发人员:周波,范国强,王叶兰,于文文,
申请(专利权)人:青岛高测科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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