一种二线制电子延时开关制造技术

一种二线制电子延时开关，包括直流电源部分、信号控制部分、驱动电路部分、可控硅开关部分、ＥＭＣ部分，其特征在于：所述驱动电路部分包括ＣＭＯＳ管、电解电容、双向触发二极管、稳压二极管、电容以及电阻，所述可控硅部分包括双向可控硅；所述ＣＭＯＳ管的一供电接线端子与稳压二极管的一供电接线端子相连，稳压二极管的另一供电接线端子与电解电容的正极端供电接线端子相连，电解电容的负极端供电接线端子分别与电容、电阻、双向触发二极管的供电接线端子相连，双向触发二极管的另一供电接线端子与双向可控硅的控制接线端子相连，电容与电阻的另一供电接线端子分别与双向可控硅的另外两供电接线端子相连；所述ＣＭＯＳ管的供电接线端子还与一单向导电元器件相连。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种二线制电子延时开关，具体说是二线制电子延时开关的改进技术。
技术介绍
传统的二线制电子延时开关是其主回路电路中引入一个整流桥，将交流电转变为直流电，然后在其整流桥的正极端和负极端再接入一个单向可控硅，此单向可控硅的A极端和K极端分别与整流桥的正极(+)端和负极(-)端相连接，而此单向可控硅的G极(控制)端则由一个晶体三极管NPN或(PNP)提供电流进行开关控制。很显然，此种电路会有如下的缺点其一、整流桥容易烧毁。显然，通过开关主回路的负载电流，必然会通过整流桥。由于技术和结构等诸多限制，目前市面上的声光控电子延时开关、触摸式电子延时开关、轻摸式电子延时开关等等传统的二线制电子延时开关产品，所使用的整流桥一般为1A(或2A)电流，这样就会限制了此类产品的容量，而且，常常会出现，因电路回路中负载烧毁的瞬间电流冲击，从而损坏产品中的整流桥等。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种适用于开关容量大、耐电流冲击性能强的二线制电子延时开关。本技术通过以下技术方案来实现。一种二线制电子延时开关，包括直流电源部分、信号控制部分、驱动电路部分、可控硅开关部分、EMC部分，其特征在于所述驱动电路部分包括CMOS管、电解电容、双向触发二极管、稳压二极管、电容以及电阻，所述可控硅部分包括双向可控硅；所述CMOS管的一供电接线端子与稳压二极管的一供电接线端子相连，稳压二极管的另一供电接线端子与电解电容的正极端供电接线端子相连，电解电容的负极端供电接线端子分别与电容、电阻、双向触发二极管的供电接线端子相连，双向触发二极管的另一供电接线端子与双向可控硅的控制接线端子相连，电容与电阻的另一供电接线端子分别与双向可控硅的另外两供电接线端子相连；所述CMOS管的供电接线端子还与一单向导电元器件相连。所述单向导电元器件为一二极管，二极管的另一供电接线端子接地本技术与现有技术相比具有以下优点。由于本技术二线制电子延时开关采用CMOS管作为负载开关控制信号，此为电压控制信号，所以产品的静态电流可做到非常小，这样产品就能控制小功率负载；同时，由于，CMOS管控制信号经过驱动电路部分电路的处理后，直接驱动双向可控硅，而不需要加入整流桥，将交流电变成直流电。因此，这种技术开关，就能克服传统的开关负载灯烧坏产品往往一同烧坏的缺点和不足等问题。这种技术开关颇为简单，巧妙地设计驱动电路部分，从而达到开关耐用性能强、寿命长、抗浪涌电流冲击好的目的。比如一个16A的双向可控硅其瞬态浪涌电流可达160A。附图说明图1为本技术二线制节能电子开关的电路原理图。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细描述。如图1所示，本技术所述的二线制电子延时开关主要由五部分组成直流电源部分1、信号控制部分2、驱动电路部分3、双向可控硅部分4以及EMC部分5。信号控制部分2采用现有技术，主要是开关信号源SW1及电容C6、C5和电阻R4稳压二极管Z3组成。信号源SW1信号可是轻触式开关信号、声控信号、光控信号、人体感应信号等等。信号源SW1信号经由信号控制部分2处理后输入到驱动电路部分3。本技术中的驱动电路部分3主要由CMOS管Q1、二极管D2、稳压二极管Z1、电解电容C3、电容C2、电阻R1、双向触发二极管SC1组成。CMOS管Q1的控制端子与信号控制部分2的信号输出端子相联接，CMOS管Q1的一个供电接线端子与驱动电路部分3的一个稳压二极管Z1的一个供电接线A端子和一个二极管D2的一个供电接线K端子相连接。稳压二极管Z1的另一个供电接线K端子与一个电解电容C3的一个供电接线(正极)端相连接。电解电容C3的另一个供电接线(负极)端子分别与一个电容C2的一个供电接线端子、一个电阻R1的一个供电接线端子、一个双向触发二极管SC1的一个供接线端子相连接。双向触发二极管SC1的另一个供电接线端子与双向可控硅开关部分4的双向可控硅的一个控制接线端子相连接。直流电源部分1与EMC部分5采用现有技术。本技术的工作原理当产品处于静态时，CMOS管Q1导通，A点为低电平(C为参考点)。此时，B点由于电解电容C3的充放电作用，使得其电位低于双向触发二极管SC1触发电压，从而使得双向可硅Q2关断，则负载LOAD关熄。当轻轻触动一下信号控制部分2的SW1开关时，即CMOS管Q1截止，此时，电解电容C3没有放电回路，B点的电压满足双向触发二极管SC1触发电压，故双向可控硅Q2的触发极，经由R1和SC1提供触发电流，Q2导通，则负载LOAD点亮。负载点亮时间主要由信号控制部分2的R4、C6决定。当C6充电电压达到Q1的控制极的触发导通电压时，Q1导通，则负载LOAD关熄，产品恢复静态。权利要求1.一种二线制电子延时开关，包括直流电源部分、信号控制部分、驱动电路部分、可控硅开关部分、EMC部分，其特征在于所述驱动电路部分包括CMOS管、电解电容、双向触发二极管、稳压二极管、电容以及电阻，所述可控硅部分包括双向可控硅；所述CMOS管的一供电接线端子与稳压二极管的一供电接线端子相连，稳压二极管的另一供电接线端子与电解电容的正极端供电接线端子相连，电解电容的负极端供电接线端子分别与电容、电阻、双向触发二极管的供电接线端子相连，双向触发二极管的另一供电接线端子与双向可控硅的控制接线端子相连，电容与电阻的另一供电接线端子分别与双向可控硅的另外两供电接线端子相连；所述CMOS管的供电接线端子还与一单向导电元器件相连。2.根据权利要求1所述二线制电子延时开关，其特征在于所述单向导电元器件为一二极管，二极管的另一供电接线端子接地。专利摘要本技术公开了一种二线制电子延时开关，包括直流电源部分、信号控制部分、驱动电路部分、可控硅开关部分、EMC部分，其特征在于所述驱动电路部分包括一CMOS管、一电解电容、一双向触发二极管，所述可控硅部分包括一双向可控硅；CMOS管的控制接线端子与信号控制部分连接、供电接线端子与电解电容的正极连接、另一接线端子接地，电解电容的负极分别与双向可控硅的三个接线端子连接，双向触发二极管串接在电解电容负极与双向可控硅的控制接线端子之间。本技术是一种适用于开关容量大、耐电流冲击性能强的二线制电子延时开关。文档编号H03K17/288GK2653783SQ0323827公开日2004年11月3日 申请日期2003年9月17日 优先权日2003年9月17日专利技术者陈海波, 吴波 申请人:Tcl国际电工(惠州)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海波，吴波，
申请(专利权)人：TCL国际电工惠州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：