记忆体晶片制造技术

本发明专利技术公开了一种记忆体晶片，包括第一解码装置及记忆体装置。第一解码装置用以产生多个字线信号。记忆体装置用以至少基于第一数据信号及第二数据信号产生第三数据信号。记忆体装置包括第一记忆体电路及第二记忆体电路。第一记忆体电路用以在第一期间依据字线信号产生第一数据信号于第一节点。第二记忆体电路用以在第一期间之后的第二期间依据字线信号产生第二数据信号于不同于第一节点的第二节点。生第二数据信号于不同于第一节点的第二节点。生第二数据信号于不同于第一节点的第二节点。

Memory chip

【技术实现步骤摘要】
记忆体晶片


[0001]本揭示内容是有关于一种记忆体技术，特别是关于一种记忆体晶片。

技术介绍

[0002]近距离通讯晶片包含用于储存数据的记忆体装置。记忆体装置可以由薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)构成。然而，TFT的源极与漏极之间的阻抗较大、迁移率低。TFT的均匀性(uniformity)不佳并且不适合用于设计放大器。因此，要如何设计出适合TFT元件的记忆体电路架构为本领域重要的课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例包含一种记忆体晶片。记忆体晶片包括第一解码装置及记忆体装置。第一解码装置用以产生多个字线信号。记忆体装置用以至少基于一第一数据信号及一第二数据信号产生一第三数据信号。记忆体装置包括第一记忆体电路及第二记忆体电路。第一记忆体电路用以在一第一期间依据字线信号产生第一数据信号于一第一节点。第二记忆体电路用以在第一期间之后的一第二期间依据字线信号产生第二数据信号于不同于第一节点的一第二节点。
[0004]本专利技术实施例包含一种记忆体晶片。记忆体晶片包括记忆体装置。记忆体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆体晶片，其特征在于，包括：一第一解码装置，用以产生多个字线信号；以及一记忆体装置，用以至少基于一第一数据信号及一第二数据信号产生一第三数据信号，该记忆体装置包括：一第一记忆体电路，用以在一第一期间依据该些字线信号产生该第一数据信号于一第一节点；以及一第二记忆体电路，用以在该第一期间之后的一第二期间依据该些字线信号产生该第二数据信号于不同于该第一节点的一第二节点。2.如权利要求1所述的记忆体晶片，其特征在于，该记忆体装置更包括：一第一控制电路，耦接该第一节点，并用以依据一第一致能信号及一脉冲信号控制该第一记忆体电路；以及一第二控制电路，耦接该第二节点，并用以依据一第二致能信号及该脉冲信号控制该第二记忆体电路，其中该第一致能信号在该第一期间具有一第一电压电平，并且在该第二期间具有不同于该第一电压电平的一第二电压电平，以及该第二致能信号在该第二期间具有该第一电压电平，并且在该第一期间具有该第二电压电平。3.如权利要求2所述的记忆体晶片，其特征在于，该第一控制电路包括：一第一开关，该第一开关的一控制端用以接收该第一致能信号，该第一开关的一第一端耦接该第一节点；一第二开关，该第二开关的一控制端用以接收该脉冲信号，该第二开关的一第一端耦接该第一节点；以及一第三开关，该第三开关的一控制端用以接收该第一致能信号，该第三开关的一第一端耦接该第二开关的一第二端，其中该第一开关的一类型不同于该第二开关及该第三开关的一类型。4.如权利要求3所述的记忆体晶片，其特征在于，该第二控制电路包括：一第四开关，该第四开关的一控制端用以接收该第二致能信号，该第四开关的一第一端耦接该第二节点；一第五开关，该第五开关的一控制端用以接收该脉冲信号，该第五开关的一第一端耦接该第二节点；以及一第六开关，该第六开关的一控制端用以接收该第二致能信号，该第六开关的一第一端耦接该第五开关的一第二端。5.如权利要求2所述的记忆体晶片，其特征在于，该第一解码装置更包括：一逻辑电路，用以进行多个逻辑操作以至少依据该脉冲信号产生该些字线信号。6.如权利要求1所述的记忆体晶片，其特征在于，该第一记忆体电路在该第二期间不产生该第一数据信号于该第一节点，以及该第二记忆体电路在该第一期间不产生该第二数据信号于该第二节点。7.如权利要求1所述的记忆体晶片，其特征在于，该记忆体装置更包括：一第一控制电路，耦接该第一节点，并用以在一第三期间依据一脉冲信号对该第一节
点充电，其中该脉冲信号在该第三期间具有一第一电压电平，并且在一第四期间具有不同于该第一电压电平的一第二电压电平，该第三期间及该第四期间在该第一期间中依序且连续排列。8.如权利要求7所述的记忆体晶片，其特征在于，更包括：一第二解码装置，用以产生多个位线信号，其中该第一记忆体电路及该第二记忆体电路更用以依据该些位线信号产生该第一数据信号及该第二数据信号，该些位线信号中的一第一位线信号在该第三期间及该第四期间具有该第二电压电平，以及该些字线信号中的一第一字线信号在该第三期间具有该第一电压电平，并且在该第四期间具有该第二电压电平。9.如权利要求8所述的记忆体晶片，其特征在于，该第一记忆体电路包括：一第一开关，该第一开关的一控制端用以接收该第一位线信号，该第一开关的一第一端耦接该第一节点；以及一第二开关，该第二开关的一控制端用以接收该第一字线信号，该第二开关的一第一端耦接该第一开关的一第二端。10.如权利要求1所述的记忆体晶片，其特征在于，该记忆体装置更包括：一第三记忆体电路，用以在该第二期间之后的一第三期间依据该些字线信号产生一第四数据信号于不同于该第一节点及该第二节点的一第三节点，其中该记忆体装置更用以基于该第四数据信号产生该...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑翔及，郭世斌，赖一丞，陈忠宏，杨士贤，王友志，陈国祥，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：