半导体存储器设备及其操作方法技术

本公开涉及半导体存储器设备及其操作方法。一种半导体存储器设备包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块包括连接到虚设字线的虚设存储器单元和连接到正常字线的正常存储器单元。外围电路对存储器块执行擦除操作。控制逻辑控制外围电路的操作。控制逻辑控制外围电路：响应于针对存储器块的擦除命令，对连接到虚设字线之中的第一虚设字线的第一虚设存储器单元执行预编程操作；并且在对第一虚设存储器单元的预编程操作之后，对连接到虚设字线之中的第二虚设字线的第二虚设存储器单元执行预编程操作。控制逻辑控制外围电路对正常存储器单元执行擦除操作。存储器单元执行擦除操作。存储器单元执行擦除操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2021
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0001138的优先权，该申请的整体公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地，涉及半导体存储器设备及其操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器设备可以形成为其中串平行于水平半导体衬底布置的二维结构，或者形成为其中串垂直于水平半导体衬底布置的三维结构。三维存储器设备是为了克服二维半导体存储器设备的集成程度的限制而设计的半导体存储器设备，并且可以包括垂直堆叠在半导体衬底上方的多个存储器单元。

技术实现思路

[0005]一些实施例涉及具有提高的可靠性的半导体存储器设备、和该半导体设备的操作方法。
[0006]依照本公开的一个实施例，一种半导体存储器设备包括：存储器块，包括连接到虚设字线的虚设存储器单元和连接到正常字线的正常存储器单元；外围电路，被配置成对存储器块执行擦除操作；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器设备，包括：存储器块，包括连接到虚设字线的虚设存储器单元和连接到正常字线的正常存储器单元；外围电路，被配置成对所述存储器块执行擦除操作；以及控制逻辑，被配置成控制所述外围电路的操作，其中所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路：响应于针对所述存储器块的擦除命令，对连接到所述虚设字线之中的第一虚设字线的第一虚设存储器单元执行预编程操作；在对所述第一虚设存储器单元的所述预编程操作之后，对连接到所述虚设字线之中的第二虚设字线的第二虚设存储器单元执行预编程操作；以及对所述正常存储器单元执行擦除操作。2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述存储器块包括：漏极选择晶体管，连接到位线；以及源极选择晶体管，连接到共用源极线，其中所述第一虚设存储器单元位于所述正常存储器单元与所述漏极选择晶体管之间，以及其中所述第二虚设存储器单元位于所述正常存储器单元与所述源极选择晶体管之间。3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中在对所述第一虚设存储器单元的所述预编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路：向所述共用电源线施加接地电压；向所述第二虚设字线和所述正常字线施加编程通过电压；以及向所述第一虚设字线施加第一编程脉冲。4.根据权利要求3所述的半导体存储器设备，其中在对所述第二虚设存储器单元的所述预编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路：向所述共用电源线施加接地电压；向所述第一虚设字线和所述正常字线施加编程通过电压；以及向所述第二虚设字线施加第二编程脉冲。5.根据权利要求4所述的半导体存储器设备，其中所述第一编程脉冲具有与所述第二编程脉冲相同的电压幅度。6.根据权利要求4所述的半导体存储器设备，其中所述第一编程脉冲具有高于所述第二编程脉冲的电压。7.根据权利要求4所述的半导体存储器设备，其中所述第一编程脉冲具有低于所述第二编程脉冲的电压。8.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在对所述正常存储器单元的所述擦除操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路：向所述第一虚设字线和所述第二虚设字线施加擦除禁止电压；向所述正常字线施加擦除允许电压；以及向所述共用源极线施加擦除电压。9.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在对所述正常存储器单元的所述擦
除操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路：使所述第一虚设字线和所述第二虚设字线浮置；向所述正常字线施加擦除允许电压；以及向所述共用源极线施加擦除电压。10.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在对所述第二虚设存储器单元执行所述预编程操作之后，所述控制逻辑控制所述外围电路对连接到所述虚设字线之中的第三虚设字线的第三虚设存储器单元执行预编程操作。11.根据权利要求10所述的半导体存储器设备，其中所述存储器块包括：漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：林侊敃，李熙烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：