【技术实现步骤摘要】
量子比特版图的布线方法、装置、电子设备及存储介质
[0001]本申请涉及电路设计领域，特别是涉及一种量子比特版图的布线方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
[0002]量子比特是量子芯片的关键单元，由于量子比特上的电极尺寸非常小，在工艺上难以实现焊接，需要通过传输线将电极引出至较大尺寸的焊盘，传输线通常为折线。但是由于传输线非常细，在工艺制备中折点处容易出现断连的情况，因此需要在折点处制作导电盘来提高传输线的导电可靠性。
[0003]然而，量子比特上的导电盘和焊盘非常多，每一个导电盘和焊盘之间都有一根传输线，在量子比特版图设计中，需要人工将传输线连接于导电盘和焊盘，因此版图绘制工作量非常大，版图绘制效率非常低，而且绘制过程无法保证精准度，容易出错。
技术实现思路
[0004]本申请的目的是提供一种量子比特版图的布线方法、装置、电子设备及存储介质，以解决相关技术中导电盘和焊盘手动连接效率低、容易出错的问题，能够自动连接导电盘和焊盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。
[0005]为解决上述技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子比特版图的布线方法，其特征在于，所述量子比特版图包括多个离子注入层、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第一导电盘和第一焊盘、设置在所述多个离子注入层的相对两端的第二导电盘和第二焊盘，相邻的两个所述离子注入层之间设有走线区域；所述方法包括：确认所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线对应的走线区域；判断所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线是否经过对应的所述走线区域；若否，在对应的所述走线区域内设置第一走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致；根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线不跨越所述离子注入层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在对应的所述走线区域内设置第一走线点，包括：在相邻的两个所述离子注入层边缘处分别确认一端点；其中，所述端点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；根据两个所述端点确定第一辅助连线；根据所述第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量，确定第一所述辅助连线的等分点；其中，所述等分点为所述第一走线点。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入层包括跨越注入区域和非跨越注入区域；所述方法还包括：若所述第一导电盘和所述第一焊盘之间的走线经过对应的所述走线区域，在所述跨越注入区域上设置跨越点；在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点；其中，所述第一走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第二导电盘的数量或所述第二焊盘的数量一致，所述第二走线点的数量与经过所述走线区域内的走线对应的第一导电盘的数量或所述第一焊盘的数量一致；根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘；其中，所述第一导电盘和所述第一焊盘的走线不跨越所述非跨越注入区域；根据所述第一走线点走线以连接对应的所述第二导电盘和所述第二焊盘；其中，不同的所述第二导电盘和所述第二焊盘之间的走线之间无交叉且该走线不跨越所述离子注入层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述跨越点和所述第二走线点走线以连接对应的所述第一导电盘和所述第一焊盘，包括：连接所述第一导电盘和所述跨越点以及所述跨越点和所述第二走线点；连接所述第二走线点和所述第一焊盘；其中，所述第二走线点和所述第一焊盘之间的连线不跨越所述离子注入层。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述非跨越注入区域为矩形注入区域，所述跨越注入区域为向所述导电盘方向突出于所述矩形注入区域的四边形注入区域；所述在所述离子注入层上设置跨越点，包括：在所述四边形注入区域内设置跨越点，以使所述跨越点和所述第二走线点之间的连线
不跨越所述矩形注入区域。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述四边形注入区域内设置跨越点，包括：确认所述矩形注入区域的第一顶点位于所述四边形注入区域内；确认所述四边形注入区域中远离所述矩形注入区域的边的中点；根据所述第一顶点和所述中点，确定第二辅助连线；在所述第二辅助连线上设置跨越点。7.根据权利要求5或6中任一项所述的方法，其特征在于，所述在对应的所述走线区域内设置第一走线点和第二走线点，包括：在所述四边形注入区域的四个顶点中选择一目标顶点；其中，所述目标顶点位于所述走线区域中朝向所述第二焊盘的开口处；根据所述目标顶点确定第三辅助连线；其中，所述第三辅助连线的两个端点为相...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊秋锋，张宇，张钧云，郑世杰，李孜怡，
申请(专利权)人：本源科仪成都科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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