降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置，包括以下步骤：为制备硅芯棒晶体的单晶炉设备通冷却水，使所述单晶炉设备的温度控制在预设范围；在所述单晶炉设备的导流筒上部设置固化毡、热屏装置；启动所述单晶炉设备，进入晶体生长阶段；当所述晶体生长阶段完成后，将制备得到的硅芯棒晶体脱离液面至预设高度，同时降低所述单晶炉设备的功率，在所述硅芯棒晶体冷却预设时间后，功率关闭；的所述硅芯棒晶体需在预设时间内静置、出炉。利用上述降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法和用于执行上述方法的装置，有效降低硅芯棒晶体在拉直过程中隐裂、裂纹等缺陷，并且在硅芯棒晶体的预制过程中不仅限于单晶，从而降低制备硅芯棒晶体的难度。棒晶体的难度。棒晶体的难度。

【技术实现步骤摘要】
降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置


[0001]本专利技术涉及多晶硅
，涉及一种拉直硅芯棒晶体的方法，更为具体地，涉及一种降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置。

技术介绍

[0002]硅芯是还原炉内气相(CVD)沉积生产多晶硅的载体，直拉法是生产太阳能硅芯的常用方法之一。
[0003]目前，国内外的多晶硅厂在硅芯棒晶体的生产上多数沿用的是生产太阳能单晶的工艺方法和热场系统，该类热场系统的主要特点是热场系统的温度梯度大、晶体生长速度快。
[0004]在实际应用中，硅芯棒晶体的拉制不仅限于单晶，也可以是多晶，如果是多晶，由于多晶和单晶的晶向的不同，晶体的各向异性就表现得特别突出，就更加容易产生隐裂、裂纹、脆断等问题。
[0005]并且，根据方硅芯的特点，硅芯原料棒需要具备无隐裂、裂纹、脆断、外观均匀、长度统一等特点。
[0006]申请号为CN201710250236.4的专利技术专利，一种消除硅芯棒晶体隐裂的装置及方法，包括以下步骤：
[0007]1)加装调整热屏装置，热屏装置位于熔硅液面的上方，上端置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法，包括以下步骤：S110、准备阶段：为制备硅芯棒晶体的单晶炉设备通冷却水，使所述单晶炉设备内部的冷却水的温度控制在预设范围内；S120、增加固化毡和热屏装置：在所述单晶炉设备的导流筒上部环形设置固化毡，并安装按照预设数据调整完毕的热屏装置；其中，所述固化毡和热屏装置使所述单晶炉设备满足晶体径向生长界面温度梯度趋近于零，从而降低纵向温度梯度；S130、晶体生长阶段：调整好所述固化毡和热屏装置后，启动所述单晶炉设备，使所述单晶炉内的液体进入晶体生长阶段；S140、退火阶段：当所述晶体生长阶段完成后，将制备得到的硅芯棒晶体脱离液面至预设高度，同时降低所述单晶炉设备的功率，在所述硅芯棒晶体冷却预设时间后，将所述单晶炉设备的功率关闭；S150、停炉冷却、静置、出炉：关闭所述单晶炉设备后，使所述硅芯棒晶体静置预设时间后出炉。2.如权利要求1所述的降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法，其中，所述固定毡的高度与所述单晶炉设备的中炉筒的高度平齐。3.如权利要求1所述的降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法，其中，所述晶体的生长速率范围控制在0.76
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1mm/min，所述晶体的直径范围为190
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205mm。4.如权利要求1所述的降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法，其中，在所述退火阶段，所述硅芯棒晶体与液面之间的高度范围为50
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2...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚保卫，刘旭阳，刘帆，尹杏，宋育兵，赵雄，万烨，严大洲，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：