一种晶棒的掺杂剂添加量的确定方法技术

本发明专利技术公开一种晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，涉及半导体技术领域，能够提高晶棒的掺杂剂添加量的准确度，改善生成的晶棒的头部的电阻率的集中性。包括：根据预设的目标电阻率，确定首次投放的首次添加量；根据首次添加量、第一挥发量、第一分凝量和第一剩余量，确定第一目标添加量，第一挥发量是根据单晶炉的加热功率确定的，第一目标添加量为第二根晶棒开始等径时，第二根晶棒的电阻率达到目标电阻率时需要添加的量；根据第一目标添加量、第二挥发量、第二分凝量、第二剩余量和首根晶棒的电阻率，确定第二目标添加量，第二目标添加量为第三根晶棒开始等径时，第三根晶棒的电阻率达到目标电阻率时需要添加的量。到目标电阻率时需要添加的量。到目标电阻率时需要添加的量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶棒的掺杂剂添加量的确定方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶棒的掺杂剂添加量的确定方法。

技术介绍

[0002]在制备硅或锗单晶时，通常要在晶棒中添加一定量的掺杂剂，加入的掺杂剂可以决定晶棒的导电类型、电阻率等电学性能。
[0003]添加掺杂剂的过程中，需要根据热场环境和掺杂剂的挥发系数，确定掺杂剂添加量。现有技术中，通常是根据操作者的经验确定挥发系数，根据这样会发系数确定的掺杂剂添加量准确度较低，导致生成的晶棒的头部的电阻率集中性较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，能够提高晶棒的掺杂剂添加量的准确度，改善生成的晶棒的头部的电阻率的集中性。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，该晶棒为采用直法拉晶生成的，该方法包括：
[0007]根据预设的目标电阻率，确定首次投放的首次添加量，首次添加量为首根晶棒开始等径时，首根晶棒的电阻率达到目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，所述晶棒为采用直法拉晶生成的，其特征在于，包括：根据预设的目标电阻率，确定首次投放的首次添加量，所述首次添加量为首根晶棒开始等径时，所述首根晶棒的电阻率达到所述目标电阻率时所需要的掺杂剂的量；根据所述首次添加量、所述掺杂剂的第一挥发量、第一分凝量，以及监测到的所述掺杂剂的第一剩余量，确定第一目标添加量，所述第一挥发量是根据单晶炉的加热功率确定的，所述第一目标添加量为第二根晶棒开始等径时，所述第二根晶棒的电阻率达到所述目标电阻率时需要添加的量；根据所述第一目标添加量、所述掺杂剂的第二挥发量、第二分凝量、第二剩余量，以及所述首根晶棒的电阻率，确定第二目标添加量，所述第二挥发量是根据所述加热功率确定的，所述第二目标添加量为第三根晶棒开始等径时，所述第三根晶棒的电阻率达到所述目标电阻率时需要添加的量。2.根据权利要求1所述的晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，其特征在于，所述第一挥发量为生长所述首根晶棒的过程中挥发的掺杂剂的量，所述第一分凝量为生长所述首根晶棒的过程中渗入所述首根晶棒的掺杂剂的量，所述第一剩余量为所述首根晶棒生长完后所述首次添加量中剩余的掺杂剂的量。3.根据权利要求1或2所述的晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，其特征在于，晶棒的电阻率为沿所述晶棒的边沿向圆心延伸预设距离的环形区域对应的电阻率。4.根据权利要求3所述的晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，其特征在于，所述预设距离为28毫米
‑
32毫米。5.根据权利要求1或2所述的晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，其特征在于，所述根据预设的目标电阻率，确定首次投放的首次添加量，包括：根据所述目标电阻率，确定掺杂浓度，所述掺杂浓度为所述首根晶棒开始等径时，所述首根晶棒的电阻率达到所述目标电阻率时所需要的掺杂剂的浓度；根据所述掺杂浓度和所述单晶炉内的溶液的体积，确定所述首次添加量。6.根据权利要求1或2所述的晶棒的掺杂剂添加量的确定方法，其特征在于，所述根据所述首次添加量、所述掺杂剂的第一挥发量、第一分凝量，以及监测到的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志群，汪奇，孙彬，殷小强，乔乐，张振忠，
申请(专利权)人：青海高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：