在显示装置的驱动电路中，在模拟放大电路（１）的输出和数字电路（２）的输入之间设有连接切断部（３）。连接切断部（３）按照控制信号ＣＴＲ，将模拟放大电路（１）的输出和数字电路（２）的输入之间切断，一直到模拟放大电路（１）的输出电压上升至目标直流电平为止，；在模拟放大电路（１）的输出电压上升至目标直流电平后，将模拟放大电路（１）的输出和数字电路（２）的输入之间连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于显示装置的驱动电路的、在模拟电路的后级连接数字电路 的电路结构。
技术介绍
使用多晶硅制造将液晶面板的驱动电路与该液晶面板一体形成的液晶显 示装置。多晶硅薄膜晶体管由于其阈值电压大于使用单晶硅的晶体管，因此在 使用多晶硅的液晶面板中， 一般在对提供给驱动电路的信号的电压进行电平移 动后，来驱动多晶硅薄膜晶体管。专利文献1中记载了进行这样的电平移动的液晶显示装置。图11的液晶 显示装置是在该文献中作为已有技术所述的液晶显示装置。在该图的液晶显示装置中，从数据信号线驱动电路SD的外部提供的时钟 信号cks以及起始信号sps的5V的振幅利用电平移动器LS升压至15V，在提 供给移位寄存器电路105。据此，从移位寄存器105的各闩锁电路SR依次输 出信号nl、 n2、……。信号nl、 n2、……经过与非电路或反相器等，成为取 样电路(模拟开关)AS的控制信号。取样电路AS利用该控制信号对提供给数据 信号线驱动电路SD的数据dat进行取样，以点依次方式提供给数据信号线SLl、 SL2、......。另外，所述专利文献1中揭示了图12所示的扫描信号线驱动电路GD。在 该图的扫描信号线驱动电路GD中，从外部提供的起始信号spg、 /spg的5V的 振幅利用电平移动器LS1升压至16V，再输入至移位寄存器电路128的闩锁电 路LS — SR;除此之外从外部提供的脉冲宽度控制信号gps、 /gps的5V的振幅 利用电平移动器LS2升压至16V，再输入至扫描信号线驱动电路GD内部的逻 辑电路的或非电路130、 131、……。在该扫描信号线驱动电路GD中，各闩锁 电路LS — SR的输出信号/nl、 /n2、……通过所述逻辑电路成为扫描信号gll、g12，输出至扫描信号线GL1、 GL2、……。专利文献I:日本专利特开2000—187461号公报(2000年7月4日公开)
技术实现思路
然而，在上述以往的液晶显示装置中存在以下的问题。在所述图11以及图12的结构中，输入了作为模拟电路的电平移动器电路 的输出信号的数字电路由于是CMOS逻辑的结构，因此在电平移动器电路的 输出电压的上升或者下降中有迟钝、而缓慢地达到最终值时，作为其输入级的 p沟道型MOS(金属氧化物)晶体管和n沟道型MOS晶体管同时导通的期间变 长，流有较大的贯通电流。即如图13所示，若在电平移动器电路后级的数字 电路中，含有由同时输入电平移动器电路的输出电压的p沟道型MOS晶体管 151和n沟道型MOS晶体管152构成的相当于CMOS反相器的结构，则因缓 慢变化的来自电平移动器电路的输入电压的作用而两个晶体管同时导通的期 间变长，从电源VDD向电源VSS流有较大的贯通电流。此时，电源VDD和MOS晶体管151之间、电源VSS和MOS晶体管152 之间配置有其他的MOS晶体管，在它们导通的状态下，即使输入变化缓慢的 电压，对流有较大的贯通电流这一事实也不会改变。所以，即使在上述图11 和上述图12的结构中，只要在输入电平移动器电路的输出电压的输入级中含 有相当于CMOS反相器的结构，就会流有较大的贯通电流。由于这样的情况，因而数字电路中流有贯通电流，所以存在液晶显示装置 的驱动电路的耗电量变大的问题。于是，研究了电平移动器电路的输入电压的振幅与输出电压的上升时间或 者下降时间之间的关系。图14的电平移动器电路200是使用6个MOS晶体管的所谓6晶体管电平 移动器电路。电平移动器电路200具备p沟道型的MOS晶体管201 204以及n沟道型 的MOS晶体管205、 206。 MOS晶体管201的源极与电源VDD连接，MOS 晶体管201的漏极与MOS晶体管203的源极连接。MOS晶体管201的栅极与 MOS晶体管204的漏极和MOS晶体管206的漏极的连接点、即电平移动器电路200的输出端子OUT连接。MOS晶体管202的源极与电源VDD连接，MOS 晶体管202的漏极与MOS晶体管204的源极连接。MOS晶体管202的栅极与 MOS晶体管203的漏极和MOS晶体管205的漏极的连接点、即电平移动器电 路200的反相输出端子OUTB连接。MOS晶体管205的源极和MOS晶体管206的源极与电源VSS连接。MOS 晶体管203的栅极与MOS晶体管205的栅极互相连接，该连接点成为电平移 动器电路200的输入端子IN。 MOS晶体管204的栅极与MOS晶体管206的 栅极互相连接，该连接点成为电平移动器电路200的反相输入端子INB。接下来，如图15(a)所示，设上述结构的电平移动器电路200的电源VDD 的电压为3V，电源VSS的电压为0V，设到达输入端子IN的布线以及到达反 相输入端子INB的布线的电阻分别为lkQ，寄生电容为10pF，进行模拟以确 认使方波的输入电压的振幅变化时的输出端子OUT的上升时间(从最大电压的 10%到90%的时间)会进行怎样的变化。输入电压如图15(b)所示，有4种情况1)高为2V、低为0V的振幅2V的 电压；2)高为2V、低为0.3V的振幅1.7V的电压；3)高为2V、低为0.6V的振 幅1.4V的电压；4)高为2V、低为0.9V的振幅1.1V的电压。电平移动器电路 200将这些输入电压全部变换为0V/3V的振幅的电压并输出。另外，虽然根据 与输出端子OUT以及反相输出端子OUTB连接的负载的大小，这些输出端子 的输出电压的上升特性会相应变化，但是考虑到电平移动器电路200的输出电 压是输入至相当于CMOS反相器的结构，故将负载作为CMOS电路的栅极电 容。此时，对于上述l)的输入电压，输出电压的上升时间为19.2ns;对于上述 2)的输入电压，输出电压的上升时间为25.15ns;对于上述3)的输入电压，输 出电压的上升时间为38.13ns;对于上述4)的输入电压，输出电压的上升时间 为76.7ns。若将它们绘图，则可以得到如图15(c)的曲线。如上所述，可知输入电压的振幅越小，上升时间越大。这可以理解如下 即输入电压的振幅小的时候，例如设高的电压输入至输入端子IN，低的电压 输入至反相输入端子INB，则n沟道型的MOS晶体管205的栅极电压(=栅极、 源极间电压)为2V，虽然与较大振幅时没有变化，但是p沟道型的MOS晶体管204的栅极电压(=栅极、源极间电压)会变小。所以，p沟道型的MOS晶体 管204的漏极电流被抑制得较小，向与输出端子OUT连接的电容负载充电需 要花费时间，输出端子OUT的电压上升变得缓慢。在上述电平移动器电路200中，由于电路进行工作而使输出电压的振幅为 3V，所以是输入电压越小、输出对于输入的增益就越大的电路。所以，可以说 增益越大，输出电压的上升变得越缓慢。这样的电平移动器电路虽然是对于各种各样振幅的输入电压而增益不同 的非线形的放大器，但是输出直流电平以使方形波的输入电压的振幅增大。另外，即使是可以作为直流放大器使用的线形的差动放大电路，但在输出 直流电平时，也由于存在某个有限的通过速率，因此输出电压的上升时间或者 下降时间成为问题。并且，比较器也有同样的问题。从以上的讨论中可知，在输出与输入对应的直流电平的模拟放大电路的后 级连接具有输入该模拟放大电路输出电压的CMOS结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置的驱动电路，该驱动电路形成为在模拟放大电路的后级设置有数字电路的结构，并利用由所述数字电路输出的输出信号进行显示驱动，其中，所述模拟放大电路输出与输入相应的直流电平的电压，所述数字电路具有ＣＭＯＳ结构的电路，所述模拟放大电路的输出电压被输入到所述ＣＭＯＳ结构的电路，其特征在于， 具备：用于连接／切断所述模拟放大电路的输出和所述ＣＭＯＳ结构的电路的输入的连接／切断单元。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：中川阳介，清水新策，酒井保，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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