静电卡盘制造技术

公开了一种静电卡盘，包括：卡盘主体，用于支撑以及夹持晶圆；电极，位于所述卡盘主体内，用于在施加电压时产生库伦吸引力从而将晶圆吸附在卡盘主体上；第一顶针，位于所述卡盘主体的边缘处；第二顶针，位于所述卡盘主体的中心处；其中，所述第一顶针和所述第二顶针沿垂直于卡盘主体的方向竖直移动，以及在卡盘主体释放晶圆后将所述晶圆顶起使所述晶圆脱离卡盘主体。本实用新型专利技术提供的静电卡盘，在静电卡盘释放晶圆后将晶圆顶起时，第一顶针和第二顶针的支撑力可以与晶圆电荷释放不完全产生的库伦吸附力达到平衡，可以使晶圆不发生弯曲/弹片现象，提高工艺效率。提高工艺效率。提高工艺效率。

Electrostatic Chuck

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘


[0001]本技术涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及静电卡盘及其物理气相沉积装置。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一。
[0003]在三维存储器中，经常会在晶圆(wafer)的背面沉积氮化硅膜(SiN)来改善晶圆的翘曲度(Bow)。氮化硅膜的沉积通常采用物理气相沉积(PVD)工艺实现。
[0004]现有的物理气相沉积中，将晶圆放置在位于反应腔室内的支撑部件上，反应腔室可以提供真空环境。在反应腔室中，轰击靶材将靶材原子溅射出来，溅射出来的原子在基板上堆积成沉积膜。
[0005]为了固定晶圆通常在静电卡盘上施加电压来产生吸附力将晶圆吸附在静电卡盘的表面上。膜沉积结束后通过去除静电卡盘上施加的电压来去除晶圆背面的电荷，然后晶圆被静电卡盘上的顶针顶起，随后晶圆被取出反应腔室。
[0006]随着三维存储器的层数的增加，晶圆的翘曲度越来越大，为了降低晶圆的翘曲度，晶圆背面沉积的氮化硅膜的厚度越本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，其特征在于，包括：卡盘主体，用于支撑以及夹持晶圆；电极，位于所述卡盘主体内，用于在施加电压时产生库伦吸引力从而将晶圆吸附在卡盘主体上；第一顶针，位于所述卡盘主体的边缘处；第二顶针，位于所述卡盘主体的中心处；其中，所述第一顶针和所述第二顶针沿垂直于卡盘主体的方向竖直移动，以及在卡盘主体释放晶圆后将所述晶圆顶起使所述晶圆脱离卡盘主体。2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一顶针和所述第二顶针沿着静电卡盘的表面水平移动。3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一顶针沿着卡盘主体的边缘等间距设置。4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一顶针与所述卡盘主体的中心距离相同，相邻的第一顶针之间的距离相同。5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡志勇，武素衡，张育龙，王永平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：