【技术实现步骤摘要】
半导体结构
[0001]本技术涉及半导体
,尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
[0002]在器件的生产封装过程中,芯片焊接是封装过程中的重点控制工序。
[0003]在制造过程中,半导体芯片由设备倒装上芯至基板上,然后经回流焊接完成作业,半导体芯片与基板形成了良好的电性能互联。在半导体芯片与基板连接时,容易出现半导体芯片上的连接端子与基板的焊盘对位不准确的问题,以及在焊接时,熔融状态下的锡球误流动导致基板上相邻焊盘之间的短路,进而影响了产品的性能和可靠性。
技术实现思路
[0004]本技术提供了一种半导体结构,以减小回流缺陷、提高基板与半导体芯片的对位精度。
[0005]本技术提供了一种半导体结构,包括基板,所述基板包括第一表面和与所述第一表面相背的第二表面,所述基板内设置有多个第一连接部件,所述第一连接部件贯穿所述基板的第一表面,所述第一连接部件的上表面设置有凹槽;
[0006]半导体芯片,所述半导体芯片设置在所述基板的第一表面一侧,所述半导体芯片邻近所述第一表面的一侧设置有与所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:基板,所述基板包括第一表面和与所述第一表面相背的第二表面,所述基板内设置有多个第一连接部件,所述第一连接部件贯穿所述基板的第一表面,所述第一连接部件的上表面设置有凹槽;半导体芯片,所述半导体芯片设置在所述基板的第一表面一侧,所述半导体芯片邻近所述第一表面的一侧设置有与所述第一连接部件对应电连接的第二连接部件,所述第二连接部件远离所述半导体芯片的一端位于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述凹槽沿所述基板的厚度方向的截面的形状为梯形、半圆形、U形、半椭圆形或弧形。3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述凹槽的深度为10
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30um,所述凹槽的宽度为60
技术研发人员:郜振豪,杨清华,
申请(专利权)人:苏州汉天下电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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