微流道的激光直写分析方法、加工方法、设备及存储介质技术

本发明专利技术公开了一种微流道的激光直写分析方法、加工方法、设备及存储介质，方法包括：通过皮秒超快激光系统根据多个测试加工参数加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道；从多个第一测试微流道对应的测试加工参数中，确定定量参数；通过皮秒超快激光系统根据多个填充参数和定量参数加工第二测试芯片，得到多个第二测试微流道；获取每一第二测试微流道的粗糙度数据；根据多个粗糙度数据及对应的填充参数，得到粗糙度调节关系。本发明专利技术通过先对测试加工参数进行测试筛选，再根据填充参数以及筛选出的定量参数进行测试分析，最终得到的粗糙度调节关系能够供皮秒超快激光系统进行可控性强的微流道加工，对应关系可靠。对应关系可靠。对应关系可靠。

【技术实现步骤摘要】
微流道的激光直写分析方法、加工方法、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及激光调节领域，特别涉及一种微流道的激光直写分析方法、加工方法、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]微流道是指在1～1000微米尺度下的流体行为，在化工、医药、能源、航空航天等领域都有所应用。芯片生产的过程中，通常需要对微流道进行加工。
[0003]相关技术中，微流道一般加工形成于PMMA基材、PDMS基材上，通常采用光刻或激光直写等方式实现微流道加工，通过光刻实现微流道加工存在加工精度低、加工效率低的问题，通过激光直写实现微流道加工时，微流道加工的精度难以控制。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供了一种微流道的激光直写分析方法、加工方法、设备及存储介质，能够为激光直写微流道提供可靠的分析结果，进而能够提高对微流道加工的精度可控性。
[0005]本专利技术第一方面实施例提供一种微流道的激光直写分析方法，包括：
[0006]通过皮秒超快激光系统根据多个测试加工参数加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道；
[0007]从多个第一测试微流道对应的测试加工参数中，确定定量参数；
[0008]通过皮秒超快激光系统根据多个填充参数和定量参数加工第二测试芯片，得到多个第二测试微流道；
[0009]获取每一第二测试微流道的粗糙度数据；
[0010]根据多个粗糙度数据及对应的填充参数，得到粗糙度调节关系。
[0011]根据本专利技术的上述实施例，至少具有如下有益效果：通过先对测试加工参数进行测试筛选，再根据填充参数以及筛选出的定量参数进行测试分析，最终得到的粗糙度调节关系能够供皮秒超快激光系统进行可控性强的微流道加工，微流道的粗糙度能够根据粗糙度调节关系实现调节，且填充参数是基于定量参数进行试验分析的，能够有效确保粗糙度调节关系中填充参数与粗糙度之间的对应关系可靠，进而能够确保粗糙度调节关系应用于加工微流道时粗糙度调节的效果。
[0012]根据本专利技术第一方面的一些实施例，通过皮秒超快激光系统根据多个测试加工参数加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道之前，还包括：
[0013]设置多个测试加工参数，其中，测试加工参数包括至少一项以下数据：平均功率、扫描速度、扫描次数。
[0014]根据本专利技术第一方面的一些实施例，通过皮秒超快激光系统根据多个测试加工参数加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道，包括：
[0015]对多个测试加工参数进行正交试验，得到第一正交表；
[0016]通过皮秒超快激光系统根据第一正交表加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道。
[0017]根据本专利技术第一方面的一些实施例，从多个第一测试微流道对应的测试加工参数中，确定定量参数，包括：
[0018]获取每一第一测试微流道的样本尺寸数据；
[0019]根据预设尺寸数据筛选样本尺寸数据，得到最优尺寸数据；
[0020]将最优尺寸数据对应的测试加工参数作为定量参数。
[0021]根据本专利技术第一方面的一些实施例，获取每一第一测试微流道的样本尺寸数据，包括：
[0022]获取第一测试微流道的形貌图；
[0023]根据形貌图，得到样本尺寸数据，其中，样本尺寸数据包括至少一项以下数据：微流道深度数据、微流道宽度数据。
[0024]根据本专利技术第一方面的一些实施例，通过皮秒超快激光系统根据多个填充参数和定量参数加工第二测试芯片，得到多个第二测试微流道，包括：
[0025]获取第二测试芯片的中心位置；
[0026]通过皮秒超快激光系统根据多个填充参数和定量参数，以中心位置为起点加工第二测试芯片，得到多个第二测试微流道。
[0027]根据本专利技术第一方面的一些实施例，通过皮秒超快激光系统根据多个填充参数和定量参数，以中心位置为起点加工第二测试芯片，得到多个第二测试微流道，包括：
[0028]对填充参数进行正交试验，得到第二正交表，其中，填充参数包括至少一项以下数据：填充类型、填充间距；
[0029]通过皮秒超快激光系统根据第二正交表和定量参数，以中心位置为起点加工第二测试芯片，得到多个第二测试微流道。
[0030]本专利技术第二方面实施例提供一种微流道的激光直写加工方法，包括第一方面任意一项的微流道的激光直写分析方法；
[0031]通过皮秒超快激光系统根据粗糙度调节关系加工PDMS基片。
[0032]由于第二方面实施例的微流道的激光直写加工方法应用第一方面任意一项的微流道的激光直写分析方法，因此具有本专利技术第一方面的所有有益效果。
[0033]本专利技术第三方面实施例提供一种电子设备，包括：
[0034]存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时用于：
[0035]实现第一方面任意一项的微流道的激光直写分析方法；
[0036]或者，
[0037]实现第二方面的微流道的激光直写加工方法。
[0038]由于第三方面实施例的电子设备应用第一方面任意一项的微流道的激光直写分析方法，或第二方面的微流道的激光直写加工方法，因此具有本专利技术第一方面的所有有益效果。
[0039]根据本专利技术第三方面实施例提供的一种计算机存储介质，存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于：
[0040]执行第一方面任意一项的微流道的激光直写分析方法；
[0041]或者，
[0042]执行第二方面的微流道的激光直写加工方法。
[0043]由于第三方面实施例的计算机存储介质可执行第一方面任意一项的微流道的激光直写分析方法，或第二方面的微流道的激光直写加工方法，因此具有本专利技术第一方面的所有有益效果。
[0044]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0045]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0046]图1是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法的主要步骤图；
[0047]图2是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法中S100的主要步骤图；
[0048]图3是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法中S200的主要步骤图；
[0049]图4是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法中S210的主要步骤图；
[0050]图5是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法中S300的主要步骤图；
[0051]图6是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法中S320的主要步骤图；
[0052]图7是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法中加工第一测试微流道的宽度形貌图；
[0053]图8是本专利技术实施例的微流道的激光直写分析方法中加工第一测试微流道的深度形貌图；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.微流道的激光直写分析方法，其特征在于，包括：通过皮秒超快激光系统根据多个测试加工参数加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道；从多个所述第一测试微流道对应的所述测试加工参数中，确定定量参数；通过所述皮秒超快激光系统根据多个填充参数和所述定量参数加工第二测试芯片，得到多个第二测试微流道；获取每一所述第二测试微流道的粗糙度数据；根据多个所述粗糙度数据及对应的所述填充参数，得到粗糙度调节关系。2.根据权利要求1所述的微流道的激光直写分析方法，其特征在于，所述通过皮秒超快激光系统根据多个测试加工参数加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道之前，还包括：设置多个测试加工参数，其中，所述测试加工参数包括至少一项以下数据：平均功率、扫描速度、扫描次数。3.根据权利要求2所述的微流道的激光直写分析方法，其特征在于，所述通过皮秒超快激光系统根据多个测试加工参数加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道，包括：对多个所述测试加工参数进行正交试验，得到第一正交表；通过皮秒超快激光系统根据所述第一正交表加工第一测试芯片，得到多个第一测试微流道。4.根据权利要求1所述的微流道的激光直写分析方法，其特征在于，所述从多个所述第一测试微流道对应的所述测试加工参数中，确定定量参数，包括：获取每一所述第一测试微流道的样本尺寸数据；根据预设尺寸数据筛选所述样本尺寸数据，得到最优尺寸数据；将所述最优尺寸数据对应的所述测试加工参数作为所述定量参数。5.根据权利要求4所述的微流道的激光直写分析方法，其特征在于，所述获取每一所述第一测试微流道的样本尺寸数据，包括：获取所述第一测试微流道的形貌图；根据所述形貌图，得到样本尺寸数据，其中，所述样本尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹明轩，张彦军，臧鲁浩，刘浩，杨军红，王敏，王俊超，甘宏海，陶宏伟，王颖，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院，
类型：发明
国别省市：