均化装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括第一板和第二板(12、14)以及用于使板面对面保持的装置(30)的装置，其中，第一板(12)包含至少十个贯通开口(24)，而第二板未被开口穿过。而第二板未被开口穿过。而第二板未被开口穿过。

Homogenizer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】均化装置
[0001]本专利申请要求法国专利申请19/10383的优先权，该专利申请将被视为本说明书的组成部分。


[0002]本公开总体上涉及一种用于使用至少一种处理气体来处理部件(特别是硅晶片)的设备的均化装置。

技术介绍

[0003]已知可以进行不同的硅晶片处理，特别是掺杂、扩散和氧化处理。此类处理通常包括将晶片引入炉中、将晶片保持在处理温度，以及将至少一种可能与载气混合的反应气体引入炉中。炉内的压力可以是大气压，也可以低于大气压。
[0004]所使用的水平或垂直炉通常具有管状外壳，该管状外壳的内部，硅晶片被布置在支撑件上。外壳的端部之一设有门，以允许引入晶片。外壳的另一端部由固定终端壁封闭。反应气体通常通过固定终端壁上的孔注入。
[0005]对引入炉的所有晶片，希望均匀地进行晶片处理。这意味着到达每个晶片的反应气体的流动基本上是均匀的。这种均匀分布可能很难实现，特别是对于最靠近引入反应气体的区域的晶片，尤其是当外壳中的压力低于大气压力时。

技术实现思路

[0006]因此，实施例的目的是至少部分地克服前述处理设备的缺点。
[0007]实施例的目的是提高到达布置在处理设备中设置的待处理部件的气流的均匀性。
[0008]实施例的另一个目的是使处理设备的外壳内的压力低于大气压。
[0009]为此，实施例提供了一种包括第一板和第二板以及用于使板面对面保持的装置的装置，其中第一板包括至少十个贯通开口，而第二板未被开口穿过。
[0010]根据一个实施例，两个板之间的间隔为10mm至150mm。
[0011]根据一个实施例，第一板和第二板具有相同的尺寸。
[0012]根据一个实施例，第一板和第二板是平行的。
[0013]根据一个实施例，第一板和第二板中的每个都内接在具有圆形底部的圆柱体内，该圆形底部的直径为200mm至400mm。
[0014]根据一个实施例，保持装置完全容纳在第一板与第二板之间。
[0015]实施例还提供了一种硅晶片掺杂、扩散或氧化设备，该设备包括炉，该炉设置有能够被门紧密封闭的外壳，在该外壳中引入所述晶片，所述炉包括：至少一根管，其用于让至少一种气体进入外壳；至少一根气体抽取管；以及抽吸装置，其连接到所述抽取管，并配置为在外壳中形成低压。该设备还包括如先前定义的装置，该装置被设置在入口管的出口与晶片之间，第一板面向晶片，而第二板面向入口管的出口。
[0016]根据一个实施例，每个硅晶片包括由边缘连接的两个相对的表面，并且硅晶片基
本上水平或垂直地设置在外壳中。
[0017]实施例还提供了一种对硅晶片掺杂或扩散或氧化的方法，所述晶片被引入由门紧密封闭的炉的外壳中，所述炉包括：至少一根管，其用于使至少一种气体进入外壳；至少一根气体抽取管；以及抽吸装置，其连接到所述抽取管，并且在外壳中形成低压，如之前定义的装置被设置在入口管的出口与晶片之间，第一板面向晶片，第二板面向入口管的出口。
附图说明
[0018]上述特征和优点以及其他的特征和优点将在以下以图解方式给出的特定实施例的描述中详细描述，而不限于参考附图，在附图中：
[0019]图1是均化装置的实施例的立体图；
[0020]图2是图1所示的均化装置的变体的立体图；
[0021]图3是图2的均化装置的主视图；
[0022]图4是图2的均化装置的侧视图；
[0023]图5是处理设备的实施例的部分简化截面图；
[0024]图6是处理设备的实施例的具有部分截面的更详细的立体图；
[0025]图7是图6所示的处理设备的具有部分截面的侧视图；
[0026]图8是图6所示的处理设备的具有部分截面的俯视图；以及
[0027]图9是图6所示的处理设备沿垂直于该设备的纵轴的平面的截面图。
具体实施方式
[0028]相似的特征已通过各种附图中的相似的附图标记来指定。特别地，各种实施例中常见的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记，并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。为了清楚起见，仅对有助于理解本文描述的实施例的步骤和元件进行了详细说明和描述。特别地，硅晶片加工方法是众所周知的，并且没有详细描述。
[0029]在以下描述中，除非另有规定，否则当提及限定绝对位置的术语(诸如术语“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等)，或限定相对位置的术语(诸如术语“上方”、“下方”、“上部”、“下部”等)，或提及限定方向的术语(诸如术语“水平的”、“垂直的”等)时，是指处于正常使用位置的硅晶片处理设备。除非另有规定，否则表述“约”、“大约”、“基本上”和“大约为”表示在10％以内，优选在5％以内。当与方向或角度相关使用表述“约”、“大约”、“基本上”和“大约为”时，它们表示在10
°
以内，优选在5
°
以内。
[0030]本专利技术涉及一种用于处理部件(特别是硅晶片)的设备的均化装置。首先将结合图1至图4描述均化装置的实施例，并将结合图5至图9描述使用此类均化装置的处理方法的实施例。
[0031]图1是均化装置10的实施例的部分简化立体图。图2、图3和图4分别是均化装置10的变体的部分透明立体图、部分透明主视图和部分透明侧视图。
[0032]均化装置10包括第一板和第二板12、14。板12、14优选为平面的。板12、14优选为平行的。板12包括外边缘16，板14包括外边缘18。板12、14优选具有相同的尺寸。特别地，板12、14的边缘16、18的形状取决于拟在其内部设置均化装置10的外壳的形状。在图1所示的实施例中，每个板12、14具有圆形形状。在图2至图4所示的变体中，每个板12、14的边缘16、
18——除直线部分20、22外——具有圆形形状。每个板12、14的厚度例如为1mm至10mm，例如等于大约3mm。每个板12、14可以由石英、碳化硅或硅制成，优选由石英制成。根据一个实施例，在图3的前视图中，每个板12、14内接在一个圆内，该圆的直径为200mm至400mm，例如，等于大约300mm。
[0033]第一板12被开口24穿过。第二板14是实心的，也就是说，它未被开口穿过。每个开口24可以具有圆形横截面。根据一个实施例，每个开口24的直径为2mm至20mm，例如，等于大约6mm。开口24的数量可以从30变化到300，并且例如可以等于大约60。根据一个实施例，开口24基本上均匀地分布在板12上。根据一个实施例，开口24从板12的中心分布在同心圆上。可以选择每个圆的开口24的数量，以便同一圆上两个相邻开口之间的距离相对于内部相邻圆上两个相邻开口之间的距离增加，优选增加小于50％。
[0034]根据一个实施例，均化装置10包括连接装置30，该连接装置将第一板12刚性连接至第二板14。根据一个实施例，连接装置30完全设置在两个板12、14之间。根据一个实施例，连接装置30包括设置在板12、14之间并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包括第一板(12)和第二板(14)以及用于使板面对面保持的装置(30)的装置，其中，所述第一板(12)包括至少十个贯通开口(24)，第二板未被开口穿过。2.根据权利要求1所述的装置，其中，两个板之间的间隔为10mm至50mm。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述第一板(12)和所述第二板(14)具有相同的尺寸。4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述第一板(12)和所述第二板(14)是平行的。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述第一板(12)和所述第二板(14)中的每个都内接在具有圆形底部的圆柱体内，所述圆形底部的直径为200mm至400mm。6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，保持装置(30)完全容纳在第一板(12)与第二板(14)之间。7.一种硅晶片掺杂、扩散或氧化设备(42)，所述设备包括炉(44)，所述炉设置有能够被门(60)紧密封闭的外壳(46)，所述晶片引入所述外壳中，所述炉包括：至少一根管(50)，其用于使至少一种气体进...

【专利技术属性】
技术研发人员：珍查尔斯，
申请(专利权)人：法国塞姆科智能科技公司，
类型：发明
国别省市：