太阳能电池的制造制造技术

本发明专利技术涉及一种制造太阳能电池的方法，所述方法依次包括：在半导体衬底(50)的至少一个表面(503)上形成隧道氧化物(52)；在所述隧道氧化物上形成掺杂有第一导电类型掺杂物的第一层(54)；在所述第一掺杂层上形成掩模(56)；在所述掩模上形成掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层(57)；以及使用激光通过掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层来掺杂第一掺杂层的至少一个第一区域(542、66)。66)。66)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池的制造
[0001]本申请要求2020年7月13日提交的申请号为2007382，题为“proc
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de fabrication de contacts passiv
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s pour cellules solaires IBC”的法国专利申请，和2020年10月28日提交的申请号为2011026，题为“fabrication de cellules solaires”的法国专利申请的优先权，其内容在法律允许的最大范围内通过引用并入。


[0002]本公开总体上涉及一种太阳能电池并且更具体地涉及一种背面接触式太阳能电池结构和制造方法。

技术介绍

[0003]太阳能电池是将太阳光转化为电能的装置。通常，太阳能电池结构基于同一半导体衬底上存在的p型区域和n型区域。在背面接触式太阳能电池中，每个区域都耦合到太阳能电池背面的金属触点，以允许外部电路或装置耦合到太阳能电池并由太阳能电池供电，如US2016/0351737和US7468485所述。

技术实现思路

[0004]需要改进当前的太阳能电池及其处理，特别是减少处理时间。
[0005]一个实施例解决了已知太阳能电池及其制造方法的全部缺点或部分缺点。
[0006]一个实施例提供了一种太阳能电池的制造方法，所述方法依次包括：
[0007]在半导体衬底的至少一个表面之上形成隧道氧化物；
[0008]在隧道氧化物之上形成掺杂有第一导电类型掺杂物的第一层；
>[0009]在第一掺杂层上形成掩模；
[0010]在掩模之上形成掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层；和
[0011]使用激光通过掺杂有第二导电掺杂物的第二层掺杂第一掺杂层的至少一个第一区域。
[0012]根据实施例，所述方法包括在形成第二层之后形成沟槽，所述沟槽在第二层、掩模、第一掺杂层和隧道氧化物中延伸。
[0013]根据实施例，沟槽将第一掺杂层的第一区域与第一掺杂层的第二区域分隔开。
[0014]根据实施例，所述方法包括在另一表面上对半导体衬底进行纹理化。
[0015]根据实施例，所述方法包括在第一掺杂层之上形成钝化膜，钝化层重新覆盖沟槽的内部。
[0016]一个实施例提供了一种通过上述方法获得的叉指型背接触或IBC太阳能电池。
[0017]一个实施例提供了一种包括IBC太阳能电池的太阳能电池板。
附图说明
[0018]上述特征和优点以及其他特征和优点将在下面结合附图以示例性而非限制性的
方式给出的具体实施例的描述中进行详细描述，其中：
[0019]图1是图示了太阳能电池的示例的截面图。
[0020]图2是图示了图1所示的太阳能电池的制造方法的示例的步骤的截面图。
[0021]图3图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0022]图4图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0023]图5图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0024]图6图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0025]图7图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0026]图8图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0027]图9图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0028]图10图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0029]图11图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0030]图12图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0031]图13图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0032]图14图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0033]图15图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0034]图16图示了图2的制造方法的另一步骤；
[0035]图17图示了根据本说明书的实施例所述的太阳能电池的截面图；
[0036]图18是图示了根据本说明书的实施例所述的太阳能电池的制造方法的步骤的截面图。
[0037]图19图示了图18的制造方法的另一步骤；
[0038]图20图示了图18的制造方法的另一步骤；
[0039]图21图示了图18的制造方法的另一步骤；
[0040]图22图示了图18的制造方法的另一步骤；
[0041]图23图示了图18的制造方法的另一步骤；
[0042]图24图示了图18的制造方法的另一步骤；
[0043]图25图示了图18的制造方法的另一步骤；
[0044]图26图示了图18的制造方法的另一步骤；和
[0045]图27图示了图18的制造方法的另一步骤。
具体实施方式
[0046]在各个图中，相同的特征已由相同的附图标记指定。特别地，在各种实施例中共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记并且可以具有相同的结构、尺寸和材料特性。
[0047]为了清楚起见，仅详细说明和描述了对理解本文描述的实施例有用的操作和元件。
[0048]除非另有说明，当提到连接在一起的两个元件时，这表示除了导体之外没有任何中间元件的直接连接，并且当提到耦合在一起的两个元件时，这表示这两个元件可以连接或者它们可以通过一个或更多个其他元件耦合。
[0049]在以下公开中，除非另有说明，否则当提到绝对位置限定词时，例如“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等术语，或提到相对位置限定词时，例如“之上”、“之下”、“较高”、“较低”等术语，或提到方位限定词时，例如“水平”、“垂直”等，均作为图中所示的方向的参考。
[0050]除非另有说明，表述“约”、“大致”、“基本上”和“大约”表示在10％以内，并且优选地在5％以内。
[0051]图1是图示了太阳能电池的示例的截面图。
[0052]图1所示的太阳能电池由半导体衬底10制成，所述半导体衬底10具有用于在正常操作期间接收太阳辐射的正面部分和形成太阳能电池的金属触点的背面部分。太阳能电池具有由掺杂层37覆盖的纹理化正面。
[0053]图1的太阳能电池包括第一导电类型的第一区域32，例如p型区域，以及第二导电类型的第二区域36，例如n型区域，其形成在衬底10的背面之上的未掺杂层30B中。隧道氧化物20B可以形成在衬底10的背面上，更准确地，形成在衬底10和未掺杂层30B之间。层37是第二导电类型。
[0054]金属触点41连接到区域32和区域36以允许外部电路和装置从太阳能电池接收电力。
[0055]图1的太阳能电池可以包括钝化层38、39、40以保护结构免受外部电损坏。
[0056]图2至图16是图示了图1所示的太阳能电池的制造方法的示例的步骤的截面图。
[0057]图1所示的太阳能电池的制造过程可以包括：
[0058]‑
制备(图2)半导体衬底10；
[0059]‑
在衬底10的正面101上形成(图3)隧道氧化物层20F并在衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法依次包括：在半导体衬底(50)的至少一个表面(503)之上形成隧道氧化物(52)；在所述隧道氧化物之上形成掺杂有第一导电类型掺杂物的第一层(54)；在所述第一掺杂层上形成掩模(56)；在所述掩模之上形成掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层(57)；和使用激光通过掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层来掺杂第一掺杂层的至少一个第一区域(542、66)。2.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述第二层之后形成沟槽(60)，所述沟槽(60)在所述第二层(57)、所述掩模(56)、所述第一掺杂层(54)和所述隧...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁周弘，雷蒙德，
申请(专利权)人：法国塞姆科智能科技公司，
类型：发明
国别省市：