电激发光板的数字电压/模拟电流转换电路制造技术

一种数字电压／模拟电流转换电路，其特征在于，包括：　　　　多条可控制电流路径，每一条所述可控制电流路径均可流经电流，并根据控制信号来输出该电流；以及　　　　驱动电流输出端，用以接收每一条所述可控制电流路径所输出的电流；　　　　其中，每一条所述可控制电流路径的所述控制信号可控制所述电流是由该驱动电流输出端输出或是由旁路路径输出。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种数字电压/模拟电流转换电路，特别是涉及一种电激发光板的数字电压/模拟电流转换电路。
技术介绍
相较于制作过程复杂、本身不发光、且需要背景光源的液晶面板(LiquidCrystal Display，LCD)，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有制作过程简单、视角广、成本低、厚度薄、操作温度范围广及可自身发光等优点。因此，有机发光二极管(OLED)即可为作为电激发光板(Active Matrix Electron Luminescent Panel)中的像素，并且已经有逐渐取代液晶面板(LCD)的趋势。如图1所示，该图为已知电激发光板的像素驱动电路结构。电激发光板中的每个像素由四个晶体管和一个电容器(4T1C)所组合而成。其中，晶体管t1栅极耦接至第一扫描线路(Scan Line 1)3，另两端则分别耦接至数据线路(Data Line)5与晶体管t3漏极。晶体管t2栅极耦接至第一扫描线路(ScanLine 1)3，另两端则分别耦接至数据线路(Data Line)5与晶体管t3栅极。晶体管t3源极耦接至电源(Vdd)，漏极耦接至晶体管t4源极。晶体管t4栅极耦接至第二扫描线路(Scan Line 2)4，漏极耦接至有机发光二极管(OLED)P极端。有机发光二极管(OLED)N极端则接至接地电压(GND)。电容器Cs耦接于晶体管t3源极与栅极之间。此电路结构可分成两个状态，分别由第一扫描线路3与第二扫描线路4来控制。其中第一扫描线路3与第二扫描线路4的信号为同一时钟脉冲(Clock)信号；在高电平时，第一扫描线路3启动，晶体管t1、t2开启；在低电平时，第二扫描线路4启动，晶体管t4开启。第一状态为记忆状态(Memorizing State)，当第一扫描线路3启动而第二扫描线路4未启动时，晶体管t1、t2可视为开关开启(On)，晶体管t4关闭(Off)，此时驱动电流(Driving Current)可由电源(Vdd)对电容器Cs充电，并产生电压。在驱动电流对电容器Cs充电的同时，电容器Cs上的电压可对晶体管t3产生偏压(Bias)，因此在稳态时，驱动电流Id1(Id2为零)会经由晶体管t3、t1流至数据线路5。第二状态为发射状态(Emission State)，当第一扫描线路3未启动而第二扫描线路4启动时，晶体管t1、t2关闭，晶体管t4可视为开关开启，此时根据电容器Cs储存的电压来使晶体管t3产生偏压并产生电流Id2(Id1为零)，并经由晶体管t4流经有机发光二极管(OLED)，使得有机发光二极管(OLED)发光。由上述可知，图1的电激发光板的像素驱动电路结构中在记忆状态时，利用驱动电流充电电容器Cs产生电压并使晶体管t3产生偏压，使得驱动电流(Id1)经由晶体管t1输出至数据线路5。而当第二扫描线路4启动时为发射状态，由于晶体管t1、t2已经关闭，因此，利用电容器Cs上的电压使晶体管t3产生偏压并产生电流(Id2)流经晶体管t4与有机发光二极管(OLED)。由上述可知，有机发光二极管(OLED)的发光亮度是由流经有机发光二极管(OLED)的电流(Id2)来决定。而电流(Id2)的大小是由电容器Cs上的电压来决定。而电容器上的电压大小是由驱动电流(Id1)的大小来决定。因此，已知的电激发光板均会提供一种数字电压/模拟电流转换电路，用以提供不同的驱动电流来充电电容器Cs。而该数字电压/模拟电流转换电路可直接制作在面板上，或是外部的驱动芯片里。如图2所示，该图为已知的6位(Bit)数字电压/模拟电流转换电路。该图中，数字电压/模拟电流转换电路中包括两个电流镜(Current Mirror)10、20，在此以第一电流镜10来作说明。在第一电流镜10中包括参考电流路径110与三个可控制电流路径120、130、140。参考电流路径110由P型晶体管m1与N型晶体管m2串联而成，这两个晶体管m1、m2宽(Width)与信道长度(Channel Length)比为W/L。P型晶体管m1源极耦接至电源(Vdd)，栅极与漏极相互连接；N型晶体管m2漏极耦接至P型晶体管m1漏极，源极耦接至接地电压(GND)，栅极至第一偏压(Vbias1)。第一可控制电流路径120由P型晶体管m3与N型晶体管m4串联而成，这两个晶体管m3、m4宽(Width)与信道长度(Channel Length)比为W/L。P型晶体管m3源极耦接至电源(Vdd)，栅极耦接至P型晶体管m1栅极；N型晶体管m4漏极耦接至P型晶体管m3漏极，源极耦接至接地电压(GND)，栅极至第一控制端(D0)。第二可控制电流路径130由P型晶体管m5与N型晶体管m6串联而成，这两个晶体管m5、m6宽(Width)与信道长度(Channel Length)比为2W/L。P型晶体管m5源极耦接至电源(Vdd)，栅极耦接至P型晶体管m1栅极；N型晶体管m6漏极耦接至P型晶体管m5漏极，源极耦接至接地电压(GND)，栅极至第二控制端(D1)。第三可控制电流路径140由P型晶体管m7与N型晶体管m8串联而成，这两个晶体管m7、m8宽(Width)与信道长度(Channel Length)比为4W/L。P型晶体管m7源极耦接至电源(Vdd)，栅极耦接至P型晶体管m1栅极；N型晶体管m8漏极耦接至P型晶体管m5漏极，源极耦接至接地电压(GND)，栅极至第三控制端(D2)。由于P型晶体管m1、m3、m5、m7有相同的栅极源极电压(VGS)，且可控制电流路径120、130、140上晶体管有固定比例的宽(Width)与信道长度(Channel Length)比。因此，第一偏压(Vbias1)所产生的第一参考电流(Iref1)，与可控制电流路径120、130、140上电流I0、I1、I2的关系为。I2＝2I1＝4I0＝4Iref1-----(1)同理，第二电流镜20上的电路结构与第一电流镜完全相同。其第二参考电流Iref2是由第二偏压(Vbias2)所产生。且第二参考电流(Iref2)为第一参考电流(Iref1)的8倍，亦即Iref2＝8Iref1。因此，第二偏压(Vbias2)所产生的第二参考电流(Iref2)，与可控制电流路径250、260、270上电流I3、I4、I5的关系为。I5＝2I4＝4I3＝4Iref2-----(2)综合(1)、(2)二式与Iref2＝8Iref1可得I5＝32Iref1I4＝16Iref1I3＝8Iref1I2＝4Iref1 I1＝2Iref1I0＝Iref1因此，根据第一控制端(D0)至第六控制端(D5)的启动即可获得所有可控制电流路径上的电流总和，亦即驱动电流(Idrv)。如图3所示，该图为第一控制端(D0)至第六控制端(D5)依序增加所获得的驱动电流曲线图。所以根据第一控制端(D0)至第六控制端(D5)的各种不同组合可以输出特定值的驱动电流。然而，由于控制端信号变动时，晶体管信道(Channel)中的电子空穴重新分布。因此，驱动电流(Idrv)会产生瞬间的凸波(Spike)，这一瞬间的大电流容易造成电路的误启动，或是将晶体管烧毁。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电激发光板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛玮杰，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：