一种用于纯离子镀膜的异面离子束流通道制造技术

本发明专利技术涉及一种用于纯离子镀膜的异面离子束流通道，包括通道本体和磁场装置，磁场装置用于调控通道本体内离子束流的流动方向，通道本体的一端与阳极装置相连接，通道本体的另一端与真空腔体相连接，通道本体上具有间隔设置的第一、二曲折部，记第一曲折部中心线所在的平面为第一平面，记第二曲折部中心线所在的平面为第二平面，第一、二平面呈相交状布置。本发明专利技术提供的上述方案，可以显著提高离子束流中杂质颗粒的去除率，提高膜层质量,拓宽膜层的应用领域。应用领域。应用领域。

【技术实现步骤摘要】
一种用于纯离子镀膜的异面离子束流通道


[0001]本专利技术涉及纯离子镀膜设备领域，具体涉及一种用于纯离子镀膜的异面离子束流通道。

技术介绍

[0002]纯离子镀膜技术（Pure Ion Coating
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PIC）作为新的一种制备Ta
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C涂层的技术，目前已广泛应用于军工、航空航天、机加工、汽车、3C消费电子、半导体等领域。通过PIC技术制备的涂层具有极高的硬度、耐磨和耐腐蚀性能。PIC设备作为新型镀膜设备，在设计上仍有较多需要优化的地方，如纯离子束流通道，现有的纯离子束流通道都是单一直管或单一弯管形成的离子束流通道，当靶材被电弧激发后，会形成带正电的阳离子、带负电的电子、不带电的原子（包括基态和激发态）、带一定正电荷的的原子团或大颗粒（即液滴）、不带电的大颗粒（即液滴）等。使用单一直管时，几乎所有的粒子都可以达到工件表面成膜，膜层非常粗糙。使用单一弯管时，带正电的阳离子、部分激发态的原子和回转半径比较小的带电原子团或大颗粒在弯管外圈线圈的磁场作用下可以顺利通过弯管，到达工件表面成膜，不带电的大颗粒则会撞击到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于纯离子镀膜的异面离子束流通道，其特征在于：包括通道本体和磁场装置，磁场装置用于调控通道本体内离子束流的流动方向，通道本体的一端与阳极装置相连接，通道本体的另一端与真空腔体相连接，通道本体上具有间隔设置的第一、二曲折部，记第一曲折部中心线所在的平面为第一平面，记第二曲折部中心线所在的平面为第二平面，第一、二平面呈相交状布置。2.根据权利要求1所述的用于纯离子镀膜的异面离子束流通道，其特征在于：第一、二曲折部为通道本体上相邻布置的两个曲折部。3.根据权利要求1所述的用于纯离子镀膜的异面离子束流通道，其特征在于：第一、二平面的夹角为60～120
°
。4.根据权利要求1所述的用于纯离子镀膜的异面离子束流通道，其特征在于：第一曲折部的弯曲角度/弯折角度为60～120
°
，第二曲折部的弯曲角度/弯折角度为60～120
°
。5.根据权利要求2或3或4所述的用于纯离子镀膜的离子束流通道，其特征在于：第一、二平面垂直状布置。6.根据权利要求5所述的用于纯离子镀膜的异面离子束流通道，其特征在于：第一曲折部的弯曲角度/弯折角度为90
°
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张心凤，夏正卫，
申请(专利权)人：安徽纯源镀膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：