【技术实现步骤摘要】
一种电弧离子镀装置及ta
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C沉积镀膜装置
[0001]本技术属于真空镀膜
，具体涉及一种电弧离子镀装置及ta
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C沉积镀膜装置。
技术介绍
[0002]类金刚石膜涂层(Diamond
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like Carbon)简称DLC涂层。类金刚石(DLC)薄膜是一种含有一定量金刚石键(sp2和sp3)的非晶碳的亚稳类的薄膜。薄膜的主要成分是碳，因为碳能以三种不同的杂化方式sp 3、sp 2和sp l存在，所以碳可以形成不同晶体的和无序的结构。这也使得对碳基薄膜的研究变得复杂化。在SP3杂化结构中,一个碳原子的四个价电子被分配到具有四面体结构的定向的SP3轨道中,碳原子与相邻的原子形成很强的
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键,这种键合方式我们通常也称之为金刚石键。在SP2杂化结构中,碳的四个价电子中的三个进入三角形的定向的SP2轨道中,并在一个平面上形成
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键,第四个电子位于同
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键一个平面的pπ轨道。π轨道同一个或多个相邻的原子形成弱的π键。而在sp...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电弧离子镀装置，其特征在于：包括具有直筒方形状空腔的离子镀壳体（1），所述直筒方形状空腔一端封闭且另一端为开口形成离子出口（3），所述离子镀壳体（1）在封闭一端设有两个形成一定夹角的安装面或接近封闭一端设有两个相平行的安装面，两个安装面关于直筒方形状空腔中心轴对称，两个安装面上分别固定有一组阴极弧源组件（2），分别固定在两个安装面上的阴极弧源组件（2）中靶材的靶面之间形成大于0以及小于等于135
°
的夹角且朝向离子出口（3）方向设置或形成平行的且相对设置的关系。2.根据权利要求1所述的电弧离子镀装置，其特征在于：所述分别固定在两个安装面上的阴极弧源组件（2）中碳靶靶面之间形成大于0以及小于等于90
°
的夹角。3.根据权利要求1所述的电弧离子镀装置，其特征在于：所述离子镀壳体（1）在接近封闭一端设有两个相平行的安装面，分别固定在两个安装面上的阴极弧源组件（2）中靶材的靶面之间形成平行的且相对设置的关系。4.根据权利要求1所述的电弧离子镀装置，其特征在于：所述离子镀壳体（1）外壁套设有矩形线圈（4），所述矩形线圈（4）用于形成对带正电粒子形成聚焦及加速作用的磁场。5.一种ta
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C沉积镀膜装置，其设有如权利要求1
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4任一项所述的电弧离子镀装置，其特征在于：包括具有真空腔室的沉积壳体（5）、抽真空系统、偏压电源系统、辅助阳极电源系统、电弧离子镀装置、灯丝离子源装置；所述离子镀壳体（1）设有离子出口（3）的一端与沉积壳体（5）相连接，所述直筒方形状空腔与真空腔室通过离子出口（3）相连通；所述沉积壳体（5）上设有用于与抽真空系统相连对真空腔室抽气形成真空环境的抽真空口（8）；所述沉积壳体（...
【专利技术属性】
技术研发人员：章柯，郎文昌，张祖航，张振华，林琪澳，
申请(专利权)人：温州职业技术学院，
类型：新型
国别省市：
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