一种电容阵列结构制造技术

本申请实施例公开了一种电容阵列结构，包括n个分裂电容，所述第一分裂电容处于阵列的中间，所述第二分裂电容平分成2个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2

【技术实现步骤摘要】
一种电容阵列结构


[0001]本申请实施例涉及电子领域，尤其涉及一种电容阵列结构。

技术介绍

[0002]逐次逼近型模数转换器(ADC，analog to digital converter)能够提供较高转换速度和较高分辨率，它具备低功耗，面积小的优点，因此运用也越来越广泛。
[0003]逐次逼近型ADC采用最广泛的是电荷再分配式结构，其中，电荷再分配数模转换器电路是它的核心电路，其基本结构是具有二进制权重的电容阵列。电容阵列是转换器的关键部件，而电容阵列结构的关键因素是电容匹配。随着分辨率要求的提高，电容阵列的容值和面积都会更大，对电容的匹配成了一个关键问题。
[0004]现有的电容阵列结构中每个电容都由单元电容构成，在两个维度上共质心方案排布。然而，随着分辨率的增加，电容阵列增大，电容匹配的难度会越来越大，且占用面积会增大很多，这给用户带来了不便。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种电容阵列结构，所要解决的技术问题是：如何对分裂电容进行布局，以减小电容所占的芯片面积。
[0006]本申请提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容阵列结构，其特征在于，包括n个分裂电容，1倍于单元电容的第一分裂电容、2倍于所述单元电容的第二分裂电容、以此类推，2
n
‑1倍于所述单元电容的第n分裂电容，其中，n为大于等于1的整数；所述第一分裂电容处于阵列的中间，所述第二分裂电容平分成2个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2
n
‑1个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧；所述每个分裂电容包括1个下极板和1个上极板；所述阵列的所有分裂电容都处于同一排，所有分裂电容的上极板连接在一起。2.根据权利要求1所述的电容阵列结构，其特征在于，所述单元电容的上极板包括2个上插指和1个上基板；所有分裂电容的多个上插指通过所述上基板连接；所述单元电容的下极板包括1个下插指和1个下基板，第一分裂电容的下插指通过第一下基板连接，第二分裂电容的2个下插指通过第二下基板连接，以此类推，第n分裂电容的2
n
‑1个下插指通过第n下基板连接。3.根据权利要求2所述的电容阵列结构，其特征在于，在每个上插指的正下方，芯片里面通过注入形成扩散区。4.根据权利要求2所述的电容阵列结构，其特征在于，在每个下插指的正下方，芯片表面设置多晶硅，多晶硅与下基板电连接。5.一种电容阵列结构，其特征在于，包括n个分裂电容，2
‑
k+1
倍于模块电容的第一分裂电容、2
‑
k+2
倍于模块电容的第二分裂电容、以此类推，2
‑
k+k
倍于模块电容的第k分裂电容，2倍于所述模块电容的第k+1分裂电容、以此类推，2
n
‑
k
倍于所述模块电容的第n分裂电容，其中，n为大于等于1的整数，k为小于n的整数；所述第k分裂电容处于阵列的中间，所述第k+1分裂电容平分成2个所述模块电容分布在所述第k分裂电容的两侧，所述第n分裂电容平分成2
n
‑
k
个所述模块电容分布在所述第k分裂电容的两侧；所述每个分裂电容包括1个下极板和1个上极板；所述阵列的所有分裂电容都处于同一排，所有分裂电容的上极板连接在一起。6.根据权利要求5所述的电容阵列结构，其特征在于，每个分裂电容的上极板包括多个上...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱春艳，张超，
申请(专利权)人：深圳市灵明光子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：