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一种电容阵列结构制造技术
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文档序号:34110366
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本申请实施例公开了一种电容阵列结构,包括n个分裂电容,所述第一分裂电容处于阵列的中间,所述第二分裂电容平分成2个所述单元电容分布在所述第一分裂电容的两侧,所述第n分裂电容平分成2
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该专利属于深圳市灵明光子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市灵明光子科技有限公司授权不得商用。
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