一种玻璃基板沉铜工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种玻璃基板沉铜工艺，包括以下步骤：S1：入料传送；S2：等离子清洗；S3：喷淋+二流体；S4：预浸；S5：活化；S6：喷淋+二流体；S7：还原；S8：喷淋+二流体；S9：沉铜1

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃基板沉铜工艺


[0001]本专利技术涉及液晶面板
，具体是一种玻璃基板沉铜工艺。

技术介绍

[0002]由于电子科技的快速发展，PCB板正向着小型化、多功能、高集成度和大功率的方向不断改进，因此，对PCB板耐热性能的要求也越来越高。现有的电子设备，它的大量的线路往往集中在很小的PCB板上，工作时元器件产生大量的热量，尤其是大功率元器件长期工作时产生的热量会软化基材，发生短路，从而损坏元器件。传统PCB板耐化学性局限，元器件长期受潮，或化学成分接触，容易腐蚀软化等，影响产品寿命。
[0003]现有的沉铜工艺比较复杂，也没有统一的规范，没有统一标准，造成沉铜工艺质量参差不齐，很多重复工序也使得生产效率底下，加大了工人的劳动负担，同时使得产品的市场竞争力不高。对于一些刚入行的操作者来说，没有一个明确的方法工艺，造成操作的时候经常发生错漏，甚至可能造成严重的后果。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种玻璃基板沉铜工艺，以解决现有技术中的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种玻璃基板沉铜工艺，包括以下步骤：S1：入料传送；S2：等离子清洗；S3：喷淋+二流体；S4：预浸；S5：活化；S6：喷淋+二流体；S7：还原；S8：喷淋+二流体；S9：沉铜1
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6；S10：喷淋漂洗；S11：出光；S12：喷淋漂洗；S13：喷淋+二流体；S14：压缩空气吹干；S15：热压缩空气吹干；S16：远红外干燥；S17：出料传送。
[0006]优选的，所述S4中预浸的温度为29
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31℃。
[0007]优选的，所述S5中活化的温度为29
‑
31℃。
[0008]优选的，所述S7中还原的温度为29
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31℃。
[0009]优选的，所述S9中沉铜1
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6的温度为24
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16℃。
[0010]优选的，所述11中出光的温度为24
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16℃。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：S1：入料传送；S2：等离子清洗；S3：喷淋+二流体；S4：预浸；S5：活化；S6：喷淋+二流体；S7：还原；S8：喷淋+二流体；S9：沉铜1
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6；S10：喷淋漂洗；S11：出光；S12：喷淋漂洗；S13：喷淋+二流体；S14：压缩空气吹干；S15：热压缩空气吹干；S16：远红外干燥；S17：出料传送；工艺简单，免去了很多重复性工序，提高了工作效率。
附图说明
[0012]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0013]图1是本专利技术的主视图；
[0014]图2是本专利技术的左视图；
[0015]图3为本专利技术的右视图。
具体实施方式
[0016]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]请参阅图1
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3，本专利技术实施例中，一种玻璃基板沉铜工艺，包括以下步骤：S1：入料传送；S2：等离子清洗；S3：喷淋+二流体；S4：预浸；S5：活化；S6：喷淋+二流体；S7：还原；S8：喷淋+二流体；S9：沉铜1
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6；S10：喷淋漂洗；S11：出光；S12：喷淋漂洗；S13：喷淋+二流体；S14：压缩空气吹干；S15：热压缩空气吹干；S16：远红外干燥；S17：出料传送。
[0018]优选的，所述S4中预浸的温度为29
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31℃。
[0019]优选的，所述S5中活化的温度为29
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31℃。
[0020]优选的，所述S7中还原的温度为29
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31℃。
[0021]优选的，所述S9中沉铜1
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6的温度为24
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16℃。
[0022]优选的，所述11中出光的温度为24
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16℃。
[0023]本专利技术的工作原理是：S1：入料传送；S2：等离子清洗；S3：喷淋+二流体；S4：预浸；S5：活化；S6：喷淋+二流体；S7：还原；S8：喷淋+二流体；S9：沉铜1
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6；S10：喷淋漂洗；S11：出光；S12：喷淋漂洗；S13：喷淋+二流体；S14：压缩空气吹干；S15：热压缩空气吹干；S16：远红外干燥；S17：出料传送；工艺简单，免去了很多重复性工序，提高了工作效率。
[0024]最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃基板沉铜工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1：入料传送；S2：等离子清洗；S3：喷淋+二流体；S4：预浸；S5：活化；S6：喷淋+二流体；S7：还原；S8：喷淋+二流体；S9：沉铜1
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6；S10：喷淋漂洗；S11：出光；S12：喷淋漂洗；S13：喷淋+二流体；S14：压缩空气吹干；S15：热压缩空气吹干；S16：远红外干燥；S17：出料传送。2.根据权利要求1所述的一种玻璃基板沉铜工艺，其特征在于：所述S4中预浸的温度为29
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31℃。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：何平，
申请(专利权)人：苏州殷绿勒精密机械科技有限公司，
类型：发明
国别省市：