【技术实现步骤摘要】
一种含钛靶材及其制备方法
[0001]本专利技术属于靶材制备
,涉及一种含钛靶材及其制备方法。
技术介绍
[0002]磁控溅射技术是制备薄膜材料的关键技术之一,而靶材正是磁控溅射工艺中的关键耗材。溅射法主要是指采用高能粒子轰击靶材表面,使靶材表面的原子或分子喷射在衬底表面,形成一层致密薄膜的过程,由于薄膜材料应用于半导体芯片、平板显示器等领域时,对其均匀性有较高的要求,这就需要首先保证溅射靶材内部组织结构的均匀性,如此才能保证镀膜的均匀性,因此靶材的加工制备需要根据材质的不同选择不同的工艺。
[0003]靶材的加工制备通常采用锻造、热轧、冷轧等加工方式,再经热处理及必要的机械加工,以制备出符合要求的靶材产品,但传统的操作步骤往往难以有效调节靶材内部的组织结构,难以控制靶材晶粒尺寸的均一性,从而无法保证溅射镀膜时薄膜的均匀性;此外,由于靶材材质的不同,有时需要使用高功率溅射,此时容易在靶材表面产生裂纹,从而影响溅射镀膜过程,因而需要根据靶材材质的不同选择合适的加工工艺,使之既能够优化内部的组织结构,又可增强靶材强 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含钛靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:将含钛靶材坯料依次进行锻造、一次热处理、冷轧和二次热处理,得到含钛靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述含钛靶材包括高纯钛靶材;优选地,所述高纯钛靶材的纯度为4N以上。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述含钛靶材坯料锻造前先进行预热;优选地,所述预热的温度为450~550℃;优选地,所述预热的保温时间为90~150min;优选地,所述保温结束后进行锻造。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述锻造的重复次数为3~5次;优选地,每次锻造的锻造比为1.5~2.5。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述一次热处理的温度为400~500℃;优选地,所述一次热处理的保温时间为60~180min;优选地,所述一次热处理保温结束后进行空冷,直至温度降至常温。6.根据权利要求1
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5任一项所述的制备方法,其特征在于,所述冷轧的总变形量为冷轧前厚度的50~85%;优选地,每道次冷轧的下压量为10~20mm。7.根据权利要求1
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6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述二次热处理的温度为300~400℃;优选地,所述二次热处理的保温时间为60~180min;...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,王学泽,周友平,周敏,陈勇军,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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