一种磁控溅射产生碳离子的组件及ta-C膜沉积设备制造技术

本实用新型专利技术属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射产生碳离子的组件及ta

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射产生碳离子的组件及ta
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C膜沉积设备


[0001]本技术属于真空镀膜
，具体涉及一种磁控溅射产生碳离子的组件及ta
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C膜沉积设备。

技术介绍

[0002]类金刚石膜涂层(Diamond
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like Carbon)简称DLC涂层。类金刚石(DLC)薄膜是一种含有一定量金刚石键(sp2和sp3)的非晶碳的亚稳类的薄膜。薄膜的主要成分是碳，因为碳能以三种不同的杂化方式sp 3、sp 2和sp l存在，所以碳可以形成不同晶体的和无序的结构。这也使得对碳基薄膜的研究变得复杂化。在sp 3杂化结构中,一个碳原子的四个价电子被分配到具有四面体结构的定向的sp 3轨道中,碳原子与相邻的原子形成很强的
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键,这种键合方式我们通常也称之为金刚石键。在SP2杂化结构中,碳的四个价电子中的三个进入三角形的定向的sp 2轨道中,并在一个平面上形成
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键,第四个电子位于同
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键一个平面的pπ轨道。π轨道同一个或多个相邻的原子形成弱的π键。而在s本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射产生碳离子的组件，包括设有反应腔室的磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）、第一靶材（2）、与第一靶材（2）电连接的溅射电源，其特征在于：所述反应腔室内设有依次相连的溅射区、磁场导向区和离子出口（3）；所述第一靶材（2）设有两个，所述第一靶材（2）固定在所述溅射区中的磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）的两侧内壁上且两个相对设置，所述磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）的两侧外壁上对应第一靶材（2）设有磁控线圈；所述磁场导向区内设有用于对第一靶材（2）溅射形成的离子导引使其从离子出口（3）离开反应腔室的磁场。2.根据权利要求1所述的磁控溅射产生碳离子的组件，其特征在于：在所述溅射区的磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）的内壁和/或外壁上固定有两个相对设置的用于形成封闭磁场的第一线圈（14）；在所述磁场导向区的磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）的内壁和/或外壁上固定有用于形成对离子形成加速离子离开反应腔室的磁场的第二线圈（4）。3.一种设有如权利要求1或2所述的磁控溅射产生碳离子的组件的ta
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C膜沉积设备，其特征在于：包括具有真空腔室的沉积壳体（5）、抽真空系统、脉冲或者直流或者脉冲叠加直流偏压电源系统、交流灯丝加热电源、偏压电源系统、脉冲或直流或脉冲叠加直流辅助阳极电源、第一灯丝（6）；所述第一灯丝（6）接入交流灯丝加热电源用以工作过程中产生电子；所述磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）设有离子出口（3）的一端与沉积壳体（5）相连接，所述反应腔室与真空腔室通过离子出口（3）相连通；所述第一灯丝（6）设置于磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）远离离子出口（3）的一端同时磁控溅射碳离子发生腔室壳体（1）在靠近第一灯丝（6）的位置设有第一进气管；所述沉积壳体（5）上设有用于与抽真空系统相连对真空腔室抽气形成真空环境的抽真空口（8）；所述沉积壳体（5）内设有用于放置镀膜过程中所镀工件的工件转架（7）；所述工件转架（7）接所述脉冲或者直流或者脉冲叠加直流偏压电源系统的电源负极，同时，所述磁控溅射碳离子发生腔室壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎文昌，林琪澳，章柯，张振华，张祖航，
申请(专利权)人：温州职业技术学院，
类型：新型
国别省市：