【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻体及镀覆装置
[0001]本专利技术涉及电阻体及镀覆装置。
技术介绍
[0002]以往,进行在半导体晶圆、印刷基板等基板的表面形成配线、凸块(突起状电极)等。作为形成该配线及凸块等的方法,公知有电解镀覆法。
[0003]在电解镀覆法涉及的镀覆装置中,公知在晶圆等圆形基板与阳极之间配置具有大量孔的电场调整用的电阻体(例如参照专利文献1)。
[0004]另外,作为镀覆装置的一个例子,公知有杯式电解镀覆装置(例如参照专利文献2)。杯式电解镀覆装置将被镀覆面朝向下方来使被保持于基板保持器的基板(例如半导体晶圆)浸渍于镀覆液,在基板与阳极之间施加电压,从而使基板的表面析出导电膜。在杯式镀覆装置中,还边使基板旋转边实施镀覆处理,以便在基板均匀地形成镀覆层。
[0005]专利文献1:日本特开2004
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225129号公报
[0006]专利文献2:日本特开2008
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19496号公报
[0007]即使在杯式电解镀覆装置中,也考虑设置具有大量孔的冲孔板作为电场调整 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电阻体,在镀覆槽中配置在基板与阳极之间,其特征在于,形成有:第一多个孔,分别形成在同心且直径不同的3个以上的基准圆上;和第二多个孔,形成在包围所述3个以上的基准圆且至少一部分为次摆线曲线的外周基准线上。2.根据权利要求1所述的电阻体,其特征在于,所述第二多个孔中的至少一部分为沿着周向长的长孔。3.根据权利要求2所述的电阻体,其特征在于,所述长孔越形成于远离所述3个以上的基准圆的区域则沿着所述周向越长。4.根据权利要求1~3中的任一项所述的电阻体,其特征在于,在所述3个以上的基准圆中的最外周的所述基准圆与所述外周基准线之间的距离不足第一距离的规定区域中,未形成所述第二多个孔。5.根据权利要求4所述的电阻体,其特征在于,在所述规定区域中形成于所述最外周的基准圆的...
【专利技术属性】
技术研发人员:樋渡良辅,下山正,増田泰之,
申请(专利权)人:株式会社荏原制作所,
类型:发明
国别省市:
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