提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备技术

本公开提供了一种提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备，属于外延制备技术领域。Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内，镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道。在固态的Cp2Mg经过镁源管道进入反应腔内的过程中，辅助推动管道内向镁源管道通入生长推动气体，生长推动气体为惰性气体。不增加Cp2Mg的掺杂量的同时，增加Cp2Mg的单位流速，促进Cp2Mg在反应腔内的流动与反应，以保证Cp2Mg的均匀分布并促进p型GaN层的快速生长。Cp2Mg分布更为均匀可以提高p型GaN层中Mg元素的掺杂效率以及分布的均匀程度以提高最终得到的外延片中电子和空穴的辐射复合效率。辐射复合效率。辐射复合效率。

【技术实现步骤摘要】
提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备


[0001]本公开涉及到了外延制备
，特别涉及到一种提高掺杂效率的外延片制备方法及外延生长设备。

技术介绍

[0002]发光二极管是一种应用非常广泛的发光器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明和景观照明等，发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构。发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上依次层叠的n型GaN层、发光层及p型GaN层，n型GaN层产生的电子与p型GaN层产生的空穴在电流作用下进入发光层中进行复合并发光。
[0003]p型GaN层中需要进行Mg掺杂以保证p型GaN层能够提供充足的空穴。p型GaN层中掺杂的Mg是来自p型GaN层生长过程中向反应腔内通入的Cp2Mg。由于Cp2Mg是固态，Cp2Mg被载气带到反应室的效率要低于液态的金属源，同时Cp2Mg本身的激活效率也比较低，两者叠加效应导致最终进入p型GaN层中的Mg元素较少，导致p型GaN层中有效的空穴不多而且分布不均匀，进而影响电子和空穴的辐射复合效率。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述提高掺杂效率的外延片制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型GaN层与发光层；向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层，所述Cp2Mg经过镁源管道进入所述反应腔内，所述镁源管道的侧壁连通有辅助推动管道，且在所述Cp2Mg经过镁源管道进入所述反应腔内的过程中，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入生长推动气体，所述生长推动气体为惰性气体。2.根据权利要求1所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入的生长推动气体的流量与经过所述镁源管道进入所述反应腔的所述Cp2Mg的流量之比为1:5～1:15。3.根据权利要求1所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述辅助推动管道内向所述镁源管道通入的生长推动气体的流量为50～300sccm。4.根据权利要求1～3任一项所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述生长推动气体为氮气或者氢气或者氢氮混合气。5.根据权利要求1～3任一项所述的提高掺杂效率的外延片制备方法，其特征在于，所述提高掺杂效率的外延片制备方法还包括：在所述n型GaN层上生长所述发光层后，向反应腔通入Ga源、氨气与Cp2Mg以在所述发光层上生长p型GaN层前，经过所述镁源管道向所述反应腔内通入所述Cp2Mg，同时通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振，从颖，龚逸品，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：