一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒技术

本发明专利技术涉及单晶硅技术领域，公开了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，S1：将多晶硅原料放置于加热设备中；S2：将加热设备抽空并冲入气体并保持其内部压力，再启动加热设备，加热至1400

【技术实现步骤摘要】
一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒


[0001]本专利技术涉及单晶硅
，具体为一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒。

技术介绍

[0002]目前现有专利(公告号：CN202110287392.4)，此专利采用本专利技术实施例中的生长方法能够更精确地测试余料中掺杂剂的浓度，达到精确控制下一晶体生长前生长容器中掺杂剂的浓度，使晶体的电阻率能够更精确地进行控制，一定程度上防止晶体电阻率偏离目标值，提升产品合格率，但是控制单晶硅棒生长过程中氧气含量的控制，如果不对硅片中的氧沉淀进行控制，将会对集成电路造成危害，氧浓度太低缺乏内吸杂作用，氧浓度抬高，使得晶片在高温制程中产生挠曲。
[0003]因此，我们提供一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，达到对氧沉淀的控制，避免氧浓度太低难以形成无缺陷洁净区，避免氧浓度太高导致晶片高温产生挠曲，有利于制备性能优良的单晶硅材料。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，解决了
技术介绍
中所提出的问题。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将多晶硅原料放置于加热设备中；S2：将加热设备抽空并冲入气体并保持其内部压力，再启动加热设备，加热至1400
‑
1500℃，使得多晶硅原料熔化；S3：稳定液面，使得液面温度梯度促成表面张力差异的热毛细管现象的对流；S4：引晶，通过引出直径为3
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5mm的细颈，多晶硅熔融体温度稳定后，将籽晶缓慢下降进入贵熔融体内，按照一定转速转动籽晶并按照一定速度向上提升；S5：引晶过程中需要对加热设备内氧气含量监测，同时需要引晶的转速、提拉速度和加热设备内液位的温度高度进行监测。S6：在S5中将氧气含量检测设置与靠近加热设备内液面上方，当加热设备内的氧沉淀超出阈值范围，通过将内循环模块，将惰性气体在液面上方排出，同时将加热设备内壁顶部抽气启动，降低氧沉淀数值；S5：放肩，当细颈生长完成后，通过逐渐降低晶体的提升速度和温度调整，使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋继林，王刚，刘学军，
申请(专利权)人：扬州方通电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：