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本发明涉及单晶硅技术领域，公开了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，S1：将多晶硅原料放置于加热设备中；S2：将加热设备抽空并冲入气体并保持其内部压力，再启动加热设备，加热至1400
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该专利属于扬州方通电子材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州方通电子材料科技有限公司授权不得商用。

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