一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法，器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；沟道层，位于缓冲层上；源极，位于沟道层的一端；漏极，位于沟道层的另一端；插入层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间；势垒层，位于插入层上；其中，沿着栅宽方向，在势垒层、插入层和沟道层内间隔设置有若干凹槽，凹槽的底部位于沟道层内；钝化层，位于势垒层上，沿着栅宽方向，设置有贯穿钝化层的栅槽，且若干凹槽位于栅槽下；栅极，位于若干凹槽和栅槽中，以及部分钝化层的表面；凹槽靠近源极的边长大于其靠近漏极的边长。本发明专利技术的器件通过形成非对称的发散形纳米沟道，能减小本征膝点电压，在较低的工作电压下以实现更大的输出功率。功率。功率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件领域，具体涉及一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]对于各种移动终端，RF器件需要在便携式电源(例如电池组)的中低电压水平下运行，以提供高功率附加效率(PAE)和中等射频输出功率密度(Pout)。低压GaN技术能够在相同的输出功率水平下提供比GaAs技术更高的PAE，从而实现更低的功耗，展示GaN技术的应用空间可以扩展到现有高压之外。更重要的是，GaN在带宽上比GaAs具有优势，这使得实现高速宽带通信成为可能，并且可以显着减少功率放大器(PA)的数量、芯片面积和移动终端的成本。因此，在低压终端应用中，GaN技术可能成为GaAs技术的有力竞争者。
[0003]GaN晶体具有很好的电学特性，如宽的禁带宽度，高击穿电场等。同时更为重要的是，GaN可以形成AlGaN/GaN异质结，由于极强的压电极化和自发极化电场的存在，即使在没有任何掺杂的情况，AlGaN/GaN异质结界面也可以形成高浓度的二维电子气，同时该二维电子气具有很高的迁移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，包括：衬底层；缓冲层，位于所述衬底层上；沟道层，位于所述缓冲层上；源极，位于所述沟道层的一端；漏极，位于所述沟道层的另一端；插入层，位于所述沟道层上，且位于所述源极和所述漏极之间；势垒层，位于所述插入层上；其中，沿着栅宽方向，在所述势垒层、所述插入层和所述沟道层内间隔设置有若干凹槽，所述凹槽的底部位于所述沟道层内；钝化层，位于所述势垒层上，其中，沿着所述栅宽方向，设置有贯穿所述钝化层的栅槽，且若干所述凹槽位于所述栅槽下；栅极，位于若干所述凹槽和所述栅槽中，以及部分所述钝化层的表面；其中，所述凹槽靠近所述源极的边长大于其靠近所述漏极的边长。2.根据权利要求1所述的基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，所述凹槽与未刻蚀区域呈周期性排列。3.根据权利要求2所述的基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，在一个周期内所述凹槽和所述未刻蚀区域的面积比为1：1。4.根据权利要求1所述的基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，所述凹槽靠近所述源极的边与其邻边的夹角的范围为70
°
～90
°
。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，陈怡霖，朱青，张濛，郭思音，田晓坤，宓珉瀚，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：