一种光刻装置及其应用制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种光刻装置及其应用。光刻装置包括LED光源，LED光源包括多个LED芯片和透镜，每个LED芯片与对应的透镜共光轴；第一类LED芯片的中心位于以中央LED芯片的中心为圆心的第一圆周上，第二类LED芯片的中心位于以中央LED芯片的中心为圆心的第二圆周上，且第一圆周的半径小于第二圆周的半径。本发明专利技术实施例的技术方案，可以实现在9.4mm

【技术实现步骤摘要】
一种光刻装置及其应用


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及一种光刻装置及其应用。

技术介绍

[0002]电镀是IC电路后封装非常重要的工艺之一，其利用硅片的边缘做阳极，硅片中间的电镀窗口做阴极，然后在阴阳两极之间加一定的直流工作电压，通过控制电流大小及电镀槽中电镀液的浓度来控制金属凸块的高度。
[0003]由于光刻胶不导电，因此在电镀工艺之前需将硅片边缘的光刻胶去掉，去边宽度大小取决于前道硅片边缘曝光(Wafer Edge Exclusion，WEE)工艺的去边宽度。传统的硅片去边主要包括化学去边法和边缘曝光法。化学去边法是在硅片涂胶过程中，通过向硅片边缘喷洒溶剂以消除硅片边缘光刻胶，该方法的缺点是去边时间长、溶剂耗材成本高且溶剂易喷洒到硅片中间图形区域，严重影响图形质量。边缘曝光法是将硅片通过真空吸附在旋转平台上，在硅片边缘上方固定一套紫外曝光镜头以产生一定大小尺寸的均匀照明光斑，然后利用旋转台的旋转来实现硅片边缘曝光。相比化学去边法，边缘曝光法具有生产效率高、装置成本低和过程易于控制等优点。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括LED光源，所述LED光源包括多个LED芯片和与所述LED芯片一一对应的透镜，每个所述LED芯片与对应的所述透镜共光轴；多个所述LED芯片包括中央LED芯片、第一类LED芯片和第二类LED芯片，所述第一类LED芯片的中心位于以所述中央LED芯片的中心为圆心的第一圆周上，所述第二类LED芯片的中心位于以所述中央LED芯片的中心为圆心的第二圆周上，且所述第一圆周的半径小于所述第二圆周的半径。2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述第一类LED芯片的出光平面和所述第二类LED芯片的出光平面均与所述中央LED芯片的出光平面呈第一夹角，且所述第一类LED芯片和所述第二类LED芯片以所述中央LED芯片为中心向靠近所述透镜一侧倾斜。3.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述透镜包括中央透镜和边缘透镜；所述中央透镜与所述中央LED芯片共光轴；所述边缘透镜包括第一边缘透镜和第二边缘透镜，第一边缘透镜与所述第一类LED芯片一一对应共光轴，所述第二边缘透镜与所述第二类LED芯片一一对应共光轴。4.根据权利要求3所述的光刻装置，其特征在于，所述第一类LED芯片包括三个LED芯片，所述第二类LED芯片包括三个LED芯片。5.根据权利要求4所述的光刻装置，其特征在于，所述透镜包括一个中央透镜和围绕所述中央透镜设置的六个所述边缘透镜；所述中央透镜在第一平面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田翠侠，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：