【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底支撑装置、光刻设备、用于操纵电荷分布的方法以及用于制备衬底的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年11月14日提交的EP申请19209256.7的优先权,该EP申请通过引用被整体并入本文中。
[0003]本专利技术涉及衬底支撑装置、光刻设备、用于操纵电荷分布的方法以及用于制备衬底的方法。
技术介绍
[0004]光刻设备是将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。
[0005]衬底位于衬底台上,该衬底台用于将所需图案施加到衬底上。衬底台会随时间退化,特别是在浸没光刻中。
[0006]希望减少衬底台的退化。
技术实现思路
[0007]根据本专利技术的一个方面,提供了一种衬底支撑装置,该衬底支撑装置被配置为支撑衬底,该衬底支撑装置包括:多个突节,该突节从衬底支撑装置的基表面突出,该突节具有处于用于支撑衬底的下表面的平面中的远端部,衬底支撑装置的基表面与衬底的下表面之间具有间隙;以及液 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.衬底支撑装置,被配置为支撑衬底,所述衬底支撑装置包括:多个突节,所述突节从所述衬底支撑装置的基表面突出,所述突节具有处于用于支撑所述衬底的下表面的平面中的远端部,所述衬底支撑装置的所述基表面与所述衬底的所述下表面之间具有间隙;以及液体供应通道,用于将传导性液体供应至所述间隙,以便将所述衬底支撑装置的所述基表面与所述衬底的所述下表面之间的所述间隙进行桥接,由此允许电荷在所述衬底支撑装置与所述衬底之间通过;其中所述衬底支撑装置具有受控电势,使得所述衬底的所述下表面处的电荷分布能够被操纵。2.一种衬底支撑装置,被配置为支撑衬底,所述衬底支撑装置包括:多个突节,所述突节从所述衬底支撑装置的基表面突出,所述突节具有处于用于支撑所述衬底的下表面的平面中的远端部,所述衬底支撑装置的所述基表面与所述衬底的所述下表面之间具有间隙;以及蒸气供应通道,所述蒸气供应通道用于将传导性液体的蒸气供应至所述衬底的所述下表面的与所述突节中的至少一个突节的远端部邻接的区域,由此允许电荷在所述衬底的所述下表面的所述区域与所述突节之间通过;其中所述远端部具有受控电势,使得在所述衬底的所述下表面处的电荷分布能够被操纵。3.根据权利要求1或2所述的衬底支撑装置,还包括气体供应通道,所述气体供应通道用于将气体供应至所述间隙,以便从所述间隙中移走所述传导性液体,和/或其中所述传导性液体或所述传导性液体的蒸汽被供应,使得所述传导性液体的湿气层被形成在所述衬底的所述下表面处。4.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑装置,其中所述衬底支撑装置的至少部分被电接地或电偏置。5.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑装置,包括:一个或多个抽取通道,用于从所述间隙抽取气体和液体中的至少一者,可选地,其中所述基表面被成形为使得所述间隙朝向所述一个或多个抽取通道变窄。6.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑装置,其中:所述传导性液体包括从由CO2饱和水和异丙醇组成的组中选择的至少一种;和/或所述衬底支撑装置被配置为:使用机械夹持技术来保持所述衬底。7.一种光刻设备,包括根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑装置,其中所述衬底支撑装置是静止的。8.一种用于操纵衬底的下表面的电荷分布的方法,所述方法包括:在衬底支撑装置的基表面与所述衬底的所述下表面之间存在间隙的情况下,将所述衬底的所述下表面支撑在从所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:K,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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