一种高压极性切换机构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压极性切换机构，涉及高压发生器技术领域，包括硅堆组件，所述硅堆组件包括硅堆架以及安装在所述硅堆架上多个呈交替排列的第一硅元件和第二硅元件，其中，所述第一硅元件与所述第二硅元件的极性方向相反；电容组件，所述电容组件包括分设于所述硅堆架两侧的第一电容组和第二电容组，所述第一电容组包括顺次排列的多个第一电容，所述第二电容组包括顺次排列的多个第二电容，所述第一电容与第二电容均设置有与所述硅堆架之间形成滑动式导电接触的导电端子，所述第一电容组与所述第二电容组之间形成滑动空间，所述硅堆架可滑动地设置于所述滑动空间；及驱动机构，所述驱动机构用于推动所述硅堆架沿所述滑动空间的滑动方向移动。动空间的滑动方向移动。动空间的滑动方向移动。

A high voltage polarity switching mechanism

【技术实现步骤摘要】
一种高压极性切换机构


[0001]本技术涉及高压发生器
，具体涉及一种高压极性切换机构。

技术介绍

[0002]现有技术中，对高压极性进行变换常采用需倍压筒等装置来改变硅堆的正负极或者抽出外筒对硅堆进行更换极性的操作，常规技术常带来工作效率低下、安全隐患高、设备使用寿命短且易损等问题，目前，市面没有通过改变硅堆组方向实现高压极性切换功能的产品。

技术实现思路

[0003]本技术所目的在于提供一种高压极性切换机构，通过简单操作改变硅堆组方向从而快速有效的解决高压正负极转换，即使长时间工作，组件间也能稳定连接，耐用性高。
[0004]本技术通过下述技术方案实现：
[0005]一种高压极性切换机构，包括：硅堆组件，所述硅堆组件包括硅堆架以及安装在所述硅堆架上多个呈交替排列的第一硅元件和第二硅元件，其中，第一硅元件与第二硅元件的极性方向相反；电容组件，电容组件包括分设于硅堆架两侧的第一电容组和第二电容组，第一电容组包括顺次排列的多个第一电容，第二电容组包括顺次排列的多个第二电容，第一电容与第二电容均设置有与硅堆架之间形成滑动式导电接触的导电端子，第一电容组与第二电容组之间形成滑动空间，硅堆架可滑动地设置于滑动空间；及驱动机构，驱动机构用于推动硅堆架沿滑动空间的滑动方向移动。
[0006]进一步的，还包括用于放置硅堆组件的第一盒体以及用于放置电容组件的第二盒体，第一盒体与第二盒体之间滑动连接。
[0007]进一步的，第二盒体包括轨道底板以及两个轨道限位板，两个轨道限位板分设于轨道底板两侧，且两个轨道限位板之间形成用于第一盒体进行滑动的空腔。
[0008]进一步的，空腔的横截面与第一盒体的横截面形状适配。
[0009]进一步的，第一盒体包括硅堆组底板以及固定于硅堆组底板上的硅堆组盖板，硅堆组件固定连接于硅堆组底板，硅堆组底板放置于轨道底板且与轨道底板滑动连接。
[0010]进一步的，硅堆组底板设置有与第一硅元件和第二硅元件形状适配的固定槽，所述固定槽的两端分别设置有用于固定硅堆架的架槽。
[0011]进一步的，硅堆组底板还设置有用于与驱动机构连接的固定，轨道底板配合固定块设置有滑动槽，固定块在驱动机构作用下于滑动槽中移动。
[0012]进一步的，驱动机构包括微型电机以及电机活动杆，微型电机与轨道底板连接，电机活动杆的一端与微型电机铰接且另一端与固定块固定连接。
[0013]进一步的，第二盒体还包括电容组底板以及固定于电容组底板上的电容组盖板，电容组底板内设置有放置第一电容组与第二电容组的凹槽，凹槽内沿滑动空间方向设置有
多个用于固定第一电容和第二电容的安装座，电容组盖板能覆盖所有凹槽。
[0014]进一步的，第一硅元件和第二硅元件与硅堆架连接处均设置有用于与导电端子进行接触连接的接触球。
[0015]本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0016]通过硅堆组件的设置，包括硅堆架以及安装在所述硅堆架上多个呈交替排列的第一硅元件和第二硅元件，其中，第一硅元件与第二硅元件的极性方向相反，从而无需对硅堆进行更换极性；还设置电容组件，其中，第一电容与第二电容均设置有与硅堆架之间形成滑动式导电接触的导电端子，第一电容组与第二电容组之间形成滑动空间，硅堆架可滑动地设置于滑动空间，通过硅堆组件与电容组件的滑动配合，操作简便，并且能稳定快速地改变硅堆组方向从而有效对高压正负极进行转换。
附图说明
[0017]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：
[0018]图1为本技术提供的硅堆组件以及电容组件示意图；
[0019]图2为本技术提供的外部整体示意图；
[0020]图3为本技术提供的外部整体的仰视示意图。
[0021]附图中标记及对应的零部件名称：
[0022]1‑
硅堆组件，2
‑
电容组件，3
‑
第一盒体，4
‑
第二盒体，11
‑
第一硅元件，12
‑
第二硅元件，13
‑
硅堆架，21
‑
第一电容，22
‑
第二电容，23
‑
导电端子，31
‑
硅堆组底板，32
‑
硅堆组盖板，33
‑
固定块，41
‑
轨道底板，42
‑
轨道限位板，43
‑
电容组底板，44
‑
电容组盖板，45
‑
凹槽，131
‑
接触球，411
‑
滑动槽。
具体实施方式
[0023]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0024]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0026]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，接或一体式连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0027]实施例
[0028]硅堆组件1，所述硅堆组件1包括硅堆架13以及安装在所述硅堆架13上多个呈交替排列的第一硅元件11和第二硅元件12，其中，所述第一硅元件11与所述第二硅元件12的极性方向相反；电容组件2，所述电容组件2包括分设于所述硅堆架13两侧的第一电容21组和第二电容22组，所述第一电容21组包括顺次排列的多个第一电容21，所述第二电容22组包括顺次排列的多个第二电容22，所述第一电容21与第二电容22均设置有与所述硅堆架13之间形成滑动式导电接触的导电端子23，所述第一电容21组与所述第二电容22组之间形成滑动空间，所述硅堆架13可滑动地设置于所述滑动空间；及驱动机构，所述驱动机构用于推动所述硅堆架13沿所述滑动空间的滑动方向移动。根据倍压电路的原理，通过硅堆组件1与电容组件2的滑动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压极性切换机构，其特征在于，包括：硅堆组件（1），所述硅堆组件（1）包括硅堆架（13）以及安装在所述硅堆架（13）上多个呈交替排列的第一硅元件（11）和第二硅元件（12），其中，所述第一硅元件（11）与所述第二硅元件（12）的极性方向相反；电容组件（2），所述电容组件（2）包括分设于所述硅堆架（13）两侧的第一电容（21）组和第二电容（22）组，所述第一电容（21）组包括顺次排列的多个第一电容（21），所述第二电容（22）组包括顺次排列的多个第二电容（22），所述第一电容（21）与第二电容（22）均设置有与所述硅堆架（13）之间形成滑动式导电接触的导电端子（23），所述第一电容（21）组与所述第二电容（22）组之间形成滑动空间，所述硅堆架（13）可滑动地设置于所述滑动空间；及驱动机构，所述驱动机构用于推动所述硅堆架（13）沿所述滑动空间的滑动方向移动。2.根据权利要求1所述的一种高压极性切换机构，其特征在于，还包括用于放置所述硅堆组件（1）的第一盒体（3）以及用于放置所述电容组件（2）的第二盒体（4），所述第一盒体（3）与第二盒体（4）之间滑动连接。3.根据权利要求2所述的一种高压极性切换机构，其特征在于，所述第二盒体（4）包括轨道底板（41）以及两个轨道限位板（42），两个所述轨道限位板（42）分设于所述轨道底板（41）两侧，且两个所述轨道限位板（42）之间形成用于所述第一盒体（3）进行滑动的空腔。4.根据权利要求3所述的一种高压极性切换机构，其特征在于，所述空腔的横截面与所述第一盒体（3）的横截面形状适配。5.根据权利要求2所述的一种高压极性切换机构，其特征在于，所述第一盒体（3）包括硅堆组底板（31）以及固定于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈攀，付泽林，李强，杨树海，杨周磊，向兵，张宝根，杨定鑫，
申请(专利权)人：四川格斯拉科技有限公司，
类型：新型
国别省市：