氮化物半导体元件制造技术

本发明专利技术的氮化物半导体元件具备：n侧氮化物半导体层；活性层，其设置在n侧氮化物半导体层上，且具备由氮化物半导体构成的多个阱层和由氮化物半导体构成的多个势垒层；p侧氮化物半导体层，其设置在活性层上。多个阱层从n侧氮化物半导体层侧起依次具有：第一中间层，其具有比所述势垒层小的带隙，且含有Al、Ga和N；第二中间层，其具有比第一中间层小的带隙能量，且含有Ga和N；发光层，其具有比第一中间层小的带隙能量，且发出含有Ga和N的紫外光，第一中间层的膜厚比第二中间层及发光层的膜厚薄，多个势垒层中，配置于第二中间层与发光层之间的势垒层掺杂有n型杂质。垒层掺杂有n型杂质。垒层掺杂有n型杂质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体元件


[0001]本专利技术涉及一种氮化物半导体元件。

技术介绍

[0002]近年来，发出紫外光的发光元件的开发正在盛行。例如，在专利文献1中，公开了适合于深紫外光的发光的、具有多量子阱结构的发光元件。另外，近紫外发光元件也正在进行树脂固化用或各种传感检测用的开发。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017－175005号公报
[0006]本专利技术要解决的课题
[0007]这样的发出紫外光的氮化物半导体元件，为了提高其特性、例如发光输出等而进行了改进，但还没有充分地提高其特性。

技术实现思路

[0008]于是，本专利技术的目的在于提供一种以高发光输出发出紫外光的氮化物半导体元件。
[0009]本专利技术的氮化物半导体元件，具备：
[0010]n侧氮化物半导体层；
[0011]活性层，其设置在所述n侧氮化物半导体层上，且具有由氮化物半导体构成的多个阱层和由氮化物半导体构成的多个势垒层；<br/>[0012]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物半导体元件，具备：n侧氮化物半导体层；活性层，其设置在所述n侧氮化物半导体层上，具有由氮化物半导体构成的多个阱层和由氮化物半导体构成的多个势垒层；p侧氮化物半导体层，其设置在所述活性层上，所述多个阱层从所述n侧氮化物半导体层侧起依次具有：第一中间层，其具有比所述势垒层小的带隙，且含有Al、Ga和N；第二中间层，其具有比所述第一中间层小的带隙能量，且含有Ga和N；发光层，其具有比所述第一中间层小的带隙能量，且发出含有Ga和N的紫外光，所述第一中间层的膜厚比所述第二中间层及所述发光层的膜厚薄，所述多个势垒层中，配置在所述第二中间层与所述发光层之间的所述势垒层掺杂有n型杂质。2.如权利要求1所述的氮化物半导体元件，其特征在于，所述多个阱层具备多个所述第一中间层。3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其特征在于，所述第二中间层的带隙能量与所述发光层的带隙能量大致相同，所述第二中间层的膜厚比...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤宏树，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：