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本发明的氮化物半导体元件具备：n侧氮化物半导体层；活性层，其设置在n侧氮化物半导体层上，且具备由氮化物半导体构成的多个阱层和由氮化物半导体构成的多个势垒层；p侧氮化物半导体层，其设置在活性层上。多个阱层从n侧氮化物半导体层侧起依次具有：第一...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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