半导体器件、电路以及无线通信设备制造技术

一种半导体器件，设置有：包含GaN材料的沟道层；阻挡层，布置在沟道层上，同时包含In的组成比大于18％的AlInN材料；以及至少一个接触层，被形成为穿透阻挡层并到达沟道层，同时包含导电半导体材料。含导电半导体材料。含导电半导体材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件、电路以及无线通信设备


[0001]本公开涉及一种半导体器件、一种电路以及一种无线通信设备。

技术介绍

[0002]最近，已经开发出了使用化合物半导体的异质结的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor:HEMT)(例如，专利文献1)。与其它晶体管相比，HEMT具有高耐电压性、高耐热性、高饱和电子速度以及高沟道电子密度。因此，已经考虑将其应用于需要较小尺寸以及较高性能的装置，诸如功率装置或高频装置。
[0003]HEMT是使用在沟道层与阻挡层之间的界面处形成的二维电子气作为沟道的晶体管，沟道层与阻挡层包括彼此不同的化合物半导体。在HEMT中，为了形成对沟道的有利欧姆接触，去除具有高势垒的阻挡层，并在源区或漏区中使具有高导电性的接触层再生长。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本未经审查的专利申请公开号2018
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206994。

技术实现思路

[0007]在这种HEMT中，希望在使接触层再本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，包括：沟道层，包含GaN基材料；阻挡层，包含In的组成比高于18％的AlInN基材料，所述阻挡层设置在所述沟道层上；以及至少一个接触层，包含导电型半导体材料，并且被设置为穿透所述阻挡层并到达所述沟道层。2.一种半导体器件，包括：沟道层，包含GaN基材料；分隔层，包含AlN基材料并设置在所述沟道层上；阻挡层，包含In的组成比高于18％的AlInN基材料，所述阻挡层设置在所述分隔层上；以及至少一个接触层，包含导电型半导体材料，并且被设置为穿透所述阻挡层以及所述分隔层并到达所述沟道层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层设置在栅电极的两个相应侧上，所述栅电极插置在所述接触层之间，所述栅电极设置在所述阻挡层上，所述栅电极和所述阻挡层之间插置有介电膜。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，设置有插置在所述接触层之间的所述栅电极的所述接触层中的一个接触层电耦合到源电极，并且设置有插置在所述接触层之间的所述栅电极的所述接触层中的另一个接触层电耦合到漏电极。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅电极与所述源电极或所述漏电极之间的薄层电阻为280Ω/平方或更小。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅电极与所述源电极或所述漏电极之间的薄层载流子浓度为1.3
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10
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cm2或更高。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层与设置在所述沟道层与所述阻挡层之间的界面处的沟道之间的接触电阻为0.1Ω
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mm或更小。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触层包含n型GaN基材料作为所述导电型半导体材料。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳田将志，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：