一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的非有源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧的多层半导体层；位于衬底一侧的至少一个屏蔽结构，屏蔽结构与预设电位电连接，用于形成所述有源区指向所述非有源区的电场或零电场。本发明专利技术实施例的技术方案，通过设置屏蔽结构，同时屏蔽结构与预设电位电连接，从而可以形成有源区指向非有源区的电场或零电场，有效屏蔽银离子，抑制其迁移至半导体芯片正面中心区域，得到性能稳定的半导体器件。得到性能稳定的半导体器件。得到性能稳定的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片制备完成后，需要对半导体芯片进行封装后形成半导体器件。一般采用贴片的方法对半导体器件进行封装，并且由于半导体器件贴片方法中贴片银浆的成本较低，一般使用贴片银浆的方法，将半导体器件的中的一些金属连接电极通过贴片银浆与封装壳体中的金属电极电连接。
[0003]但是，由于贴片银浆会导致银离子在电场作用下发生电化学迁移，使银离子迁移至半导体芯片正面，与半导体芯片正面中心区域的其他电极接触造成漏电增大甚至短路，造成半导体器件无法正常使用。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体器件及其制备方法，通过设置屏蔽结构，同时屏蔽结构与预设电位电连接，从而可以形成有源区指向非有源区的电场或零电场，有效屏蔽银离子，抑制其迁移至半导体芯片正面中心区域，得到性能稳定的半导体器件。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括：有源区以及围绕有源区的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：有源区以及围绕所述有源区的非有源区；所述半导体器件还包括：衬底；位于所述衬底一侧的多层半导体层；位于所述衬底一侧的至少一个屏蔽结构，所述屏蔽结构与预设电位电连接，用于形成所述有源区指向所述非有源区的电场或零电场。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多层半导体层包括位于所述非有源区的导电区和二维电子气消除区，所述二维电子气消除区位于所述导电区与所述有源区之间，所述导电区作为所述屏蔽结构；和/或，所述半导体器件还包括位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的介质层；所述介质层远离所述多层半导体层的一侧设置有至少一条导电走线，所述导电走线作为所述屏蔽结构。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽结构至少包括第一屏蔽分部，所述第一屏蔽分部位于所述非有源区远离所述有源区的一侧。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽结构还包括第二屏蔽分部以及第三屏蔽分部；所述第一屏蔽分部分别与所述第二屏蔽分部以及所述第三屏蔽分部电连接，所述第一屏蔽分部的延伸方向与至少部分所述第二屏蔽分部的延伸方向以及至少部分所述第三屏蔽分部的延伸方向均相交；所述屏蔽结构位于所述非有源区远离所述有源区的至少三侧。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽结构包括第四屏蔽分部和第五屏蔽分部，所述第四屏蔽分部沿第一方向延伸，所述第五屏蔽分部沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交且均平行于所述衬底所在平面；所述第四屏蔽分部包括多个第一子屏蔽结构；沿所述第一方向相邻的两个所述第一子屏蔽结构在所述第二方向上错开设置，且在第一平面上的垂直投影交叠；所述第一平面平行于所述第一方向且垂直于所述衬底所在平面；和/或，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元，裴轶，徐广泽，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：