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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的非有源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧的多层半导体层；位于衬底一侧的至少一个屏蔽结构，屏蔽结构与预设电位电连接，用于形成所述有源区指向所述非有源区的电...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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