温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件，设置有：包含GaN材料的沟道层；阻挡层，布置在沟道层上，同时包含In的组成比大于18％的AlInN材料；以及至少一个接触层，被形成为穿透阻挡层并到达沟道层，同时包含导电半导体材料。含导电半导体材料。含导电半导体材料。
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。