【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]半导体芯片制备完成后，需要对半导体芯片进行封装后形成半导体器件。一般采用贴片的方法对半导体器件进行封装，并且由于半导体器件贴片方法中贴片银浆的成本较低，一般使用贴片银浆的方法，将半导体器件的中的一些金属连接电极通过贴片银浆与封装壳体中的金属电极电连接。
[0003]但是，由于贴片银浆会导致银离子在电场作用下发生电化学迁移，使银离子迁移至半导体芯片正面，与半导体芯片正面中的其他电极接触造成短路，造成半导体器件无法正常使用。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体器件及其制备方法，通过合理设置屏蔽结构，保证键合盘性能稳定，得到性能稳定的半导体器件。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种半导体器件，包括工作区以及围绕所述工作区的划片区；所述工作区包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；
[0006]所述半导体器件还包括：
[
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括工作区以及围绕所述工作区的划片区；所述工作区包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；所述半导体器件还包括：衬底；位于所述衬底一侧的多层半导体层；位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧，且位于所述有源区的栅极；位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧，且位于所述无源区的至少一个键合盘，所述键合盘至少包括栅极键合盘，所述栅极键合盘与所述栅极电连接；位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的至少一个屏蔽结构，所述屏蔽结构包括栅极屏蔽结构，所述栅极屏蔽结构用于对所述栅极键合盘进行屏蔽保护。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧，且位于所述有源区的漏极；所述键合盘还包括漏极键合盘，所述漏极键合盘与所述漏极电连接；所述屏蔽结构还包括漏极屏蔽结构，所述漏极屏蔽结构用于对所述漏极键合盘进行屏蔽保护。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽结构与预设电位电连接，所述预设电位U满足U≥0。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区还包括多个固定电位结构；所述屏蔽结构与所述固定电位结构电连接。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽结构包括第一屏蔽分部、第二屏蔽分部和第三屏蔽分部，所述第二屏蔽分部分别与所述第一屏蔽分部和所述第三屏蔽分部连接；所述第一屏蔽分部与所述第二屏蔽分部的连接处的形状包括“L”形或者“T”形；所述第三屏蔽分部与所述第二屏蔽分部的连接处的形状包括“L”形或者“T”形。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽结构包括沿第一方向延伸的第一部分以及沿第二方向延伸的第二部分，所述第一方向和所述第二方向均与衬底所在平面平行，且所述第一方向与所述第二方向相交；所述第一部分与所述第二部分的连接夹角包括倒角或者圆弧角；或者，所述屏蔽结构还包括第三部分，所述第三部分分别与所述第一部分和所述第二部...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴轶，韩啸，李元，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。