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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括工作区以及围绕工作区的划片区；工作区包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底、多层半导体层、栅极、栅极键合盘以及屏蔽结构；栅极键合盘与栅极电连接；通过增设屏蔽结构，...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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