芯片电源网格布局方法及装置、电子设备和可读介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种芯片电源网格布局方法及装置、电子设备和可读介质。该方法包括：提取与芯片的芯片中心对应的目标电源网格信息，该目标电源网格信息包括电源分支宽度和电源分支数目；基于芯片中心的宽度和目标电源网格信息获取电源网格的面积；基于芯片中心的面积和电源网格的面积获取电源网格在芯片中心上的目标密度；基于目标密度确定芯片中心的当前电压降是否满足电压降条件；在确定当前电压降满足电压降条件的情况下，基于目标电源网格信息，确定芯片的电源网格的布局。本发明专利技术能够实现对电压降的早期评估，降低芯片在验收阶段出现电压降不满足条件的概率，减少资源损耗。减少资源损耗。减少资源损耗。

【技术实现步骤摘要】
芯片电源网格布局方法及装置、电子设备和可读介质


[0001]本专利技术涉及计算机
，具体涉及一种芯片电源网格布局方法及装置、电子设备和计算机可读介质。

技术介绍

[0002]芯片在流片（Tape
‑
out）之前，要进入验收（Sign
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off）阶段。Sign
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off阶段是指利用工具对芯片进行多项检查以避免芯片不符合设计要求的阶段。其中，电压降（IR drop）分析是重点关注的问题之一。但是，如果在Sign
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off阶段出现电压降不符合预设要求的问题，常常会导致绕线资源浪费以及返工问题。

技术实现思路

[0003]为此，本专利技术提供一种芯片电源网格布局方法及装置、电子设备和可读介质。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种芯片电源网格布局方法，该方法包括：提取与所述芯片的芯片中心对应的目标电源网格信息，所述目标电源网格信息包括电源分支宽度和电源分支数目；基于所述芯片中心的宽度和所述目标电源网格信息获取电源网格的面积；基于所述芯片中心的面积和所述电源网格的面积获取所述电源网格在所述芯片中心上的目标密度；基于所述目标密度确定所述芯片中心的当前电压降是否满足电压降条件；在确定所述当前电压降满足电压降条件的情况下，基于所述目标电源网格信息，确定所述芯片的电源网格的布局。
[0005]在一些实施例中，该方法还包括：在所述当前电压降不满足电压降条件的情况下，调整所述目标电源网格信息，并返回所述提取与所述芯片的芯片中心对应的目标电源网格信息的步骤。
[0006]在一些实施例中，所述基于所述芯片中心的宽度和所述目标电源网格信息获取电源网格的面积的步骤，包括：基于所述芯片中心的宽度、所述电源分支宽度和所述电源分支数目的乘积，确定所述电源网格的面积。
[0007]在一些实施例中，所述基于所述芯片中心的面积和所述电源网格的面积获取所述电源网格在所述芯片中心上的目标密度的步骤，包括：基于所述电源网格的面积与所述芯片中心的面积的比值，获取所述电源网格在所述芯片中心的目标密度。
[0008]在一些实施例中，所述方法还包括：根据历史芯片的芯片设计信息与所述电压降条件确定密度阈值。
[0009]在一些实施例中，所述基于所述目标密度确定所述芯片中心的当前电压降是否满足电压降条件的步骤，包括：确定所述目标密度是否大于所述密度阈值；在所述目标密度大于密度阈值的情况下，确定所述芯片中心的当前电压降满足电压降条件。
[0010]在一些实施例中，所述芯片设计信息包括所述历史芯片的芯片中心的面积、总功耗、供电电压和总电流，所述历史芯片的芯片中心包括的标准单元的高度和长度，以及配置的电源分支的电流属性参数和电阻属性参数；所述根据历史芯片的芯片设计信息与所述电
压降条件确定密度阈值的步骤，包括：根据所述总功耗和所述历史芯片的芯片中心的面积，确定所述历史芯片的平均功耗；根据所述平均功耗、所述标准单元的高度和长度、所述供电电压，确定所述标准单元的电流消耗；根据所述总电流、所述标准单元的电流消耗、所述电源分支的电流属性参数，确定所述电源分支的设计宽度；根据供电电压、历史芯片的芯片中心的宽度、电压降条件、标准单元的电流消耗、历史芯片的电源分支的电阻属性参数，确定所述历史芯片的电源分支的设计个数；基于所述设计宽度、所述设计个数、所述历史芯片的芯片中心的宽度和面积，确定所述密度阈值。
[0011]在一些实施例中，所述调整所述目标电源网格信息的步骤，包括：基于设计规则增大所述电源分支宽度和电源分支数目中的至少一项。
[0012]本专利技术实施例提供一种芯片电源网格布局装置，该装置包括：提取模块，用于提取与所述芯片的芯片中心对应的目标电源网格信息，所述目标电源网格信息包括电源分支宽度和电源分支数目；第一获取模块，用于基于所述芯片中心的宽度和所述目标电源网格信息获取电源网格的面积；第二获取模块，用于基于所述芯片中心的面积和所述电源网格的面积获取所述电源网格在所述芯片中心上的目标密度；第一确定模块，用于基于所述目标密度确定所述芯片中心的当前电压降是否满足电压降条件；第二确定模块，用于在确定所述当前电压降满足电压降条件的情况下，基于所述目标电源网格信息，确定所述芯片的电源网格的布局。
[0013]本专利技术实施例还提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储器，其上存储有一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现上述的方法；一个或多个I/O接口，连接在所述处理器与存储器之间，配置为实现所述处理器与存储器的信息交互。
[0014]本专利技术实施例还提供一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现根据上述的方法。
[0015]本专利技术具有如下优点：本专利技术提供一种芯片电源网格布局方法，该方法包括：提取与芯片的芯片中心对应的目标电源网格信息，该目标电源网格信息包括电源分支宽度和电源分支数目；基于芯片中心的宽度和目标电源网格信息获取电源网格的面积；基于芯片中心的面积和电源网格的面积获取电源网格在芯片中心上的目标密度；基于目标密度确定芯片中心的当前电压降是否满足电压降条件；在确定当前电压降满足电压降条件的情况下，基于目标电源网格信息，确定芯片的电源网格的布局，能够实现对电压降的早期评估，降低芯片在验收阶段出现电压降不满足条件的概率，减少资源损耗。
附图说明
[0016]附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。
[0017]图1为本专利技术实施例提供的一种芯片电源网格布局方法的流程图。
[0018]图2为本专利技术实施例提供的一种根据历史芯片的芯片设计信息与电压降条件确定密度阈值的方法的流程图。
[0019]图3为本专利技术实施例提供的另一种芯片电源网格布局方法的流程图。
[0020]图4为本专利技术实施例提供的一种电源网络的等效示意图。
[0021]图5为本专利技术实施例提供的一种芯片电源网格布局装置的结构示意图。
[0022]图6为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构框图。
具体实施方式
[0023]以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。
[0024]如本专利技术所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举条目的任何和全部组合。
[0025]本专利技术所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本专利技术。如本专利技术所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。
[0026]当本专利技术中使用术语“包括”和/或“由
……
制成”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片电源网格布局方法，其特征在于，所述方法包括：提取与所述芯片的芯片中心对应的目标电源网格信息，所述目标电源网格信息包括电源分支宽度和电源分支数目；基于所述芯片中心的宽度和所述目标电源网格信息获取电源网格的面积；基于所述芯片中心的面积和所述电源网格的面积获取所述电源网格在所述芯片中心上的目标密度；基于所述目标密度确定所述芯片中心的当前电压降是否满足电压降条件；在确定所述当前电压降满足电压降条件的情况下，基于所述目标电源网格信息，确定所述芯片的电源网格的布局。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述当前电压降不满足电压降条件的情况下，调整所述目标电源网格信息，并返回所述提取与所述芯片的芯片中心对应的目标电源网格信息的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述芯片中心的宽度和所述目标电源网格信息获取电源网格的面积的步骤，包括：基于所述芯片中心的宽度、所述电源分支宽度和所述电源分支数目的乘积，确定所述电源网格的面积。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述芯片中心的面积和所述电源网格的面积获取所述电源网格在所述芯片中心上的目标密度的步骤，包括：基于所述电源网格的面积与所述芯片中心的面积的比值，获取所述电源网格在所述芯片中心的目标密度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据历史芯片的芯片设计信息与所述电压降条件确定密度阈值；所述基于所述目标密度确定所述芯片中心的当前电压降是否满足电压降条件的步骤，包括：确定所述目标密度是否大于所述密度阈值；在所述目标密度大于密度阈值的情况下，确定所述芯片中心的当前电压降满足电压降条件。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述芯片设计信息包括所述历史芯片的芯片中心的面积、总功耗、供电电压和总电流，所述历史芯片的芯片中心包括的标准单元的高度和长度，以及配置的电源分支的电流属性参数和电阻属性参数；所述根据历史芯片的芯片设计信息与所述电压降条件确定密度阈值...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凤林，刘伟，
申请(专利权)人：宏晶微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：