光调制器和制造光调制器的方法技术

一种MOS电容器型光调制器，包括：绝缘体上硅(SOI)衬底；第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述SOI衬底的硅器件层中；以及第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区由竖直地延伸的绝缘体层横向地分离以形成横向MOS电容器区。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层由不同的材料形成。层由不同的材料形成。层由不同的材料形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光调制器和制造光调制器的方法


[0001]根据本专利技术的实施方案的一个或多个方面涉及一种光调制器，并且更具体地涉及一种MOS电容器型光调制器。

技术介绍

[0002]硅MOS电容器型调制器可能具有高损耗。III
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V Si MOS电容器型调制器是更高效但可能不太适合大批量制造的混合结构。
[0003]可通过在硅晶片上粘结III
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V材料片来制造III
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V Si MOS电容器型调制器。除了不适合大批量制造外，粘结制造过程还会限制调制器的可能的几何配置。
[0004]一些III
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V Si MOS电容器型调制器使用专门的过渡层，诸如外延生长的晶体稀土氧化物(REO)。尽管这些调制器是单片式的并且因此不适合大批量制造，但是制作调制器所需的制造步骤很复杂。此外，该过程要求Si(111)器件层定向，这与诸如Si(100)器件层的其他Si器件层相比不太理想。具体地，Si(111)不如Si(100)常见且更昂贵，并且一些蚀刻技术无法在Si(111)上重复。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种MOS电容器型光调制器，所述MOS电容器型光调制器包括：绝缘体上硅SOI衬底；第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述SOI衬底的硅器件层中；以及第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区由竖直地延伸的绝缘体层横向地分离以形成横向MOS电容器区，其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层由不同的材料形成。2.如权利要求1所述的MOS电容器型光调制器，其中所述第二掺杂区形成在III
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V型半导体区中。3.如权利要求1或权利要求2所述的MOS电容器型光调制器，其中所述绝缘体层包括氮化硅。4.如任一前述权利要求所述的MOS电容器型光调制器，其中所述SOI衬底的所述硅器件层具有(100)晶体定向。5.如任一前述权利要求所述的MOS电容器型光调制器，其中所述绝缘体层的第一部分在所述第一掺杂区的顶部上水平地延伸，并且所述绝缘体层的第二部分在所述第二掺杂区的下方水平地延伸。6.如权利要求1至4中任一项所述的MOS电容器型光调制器，其中所述绝缘体区相对于所述衬底以倾斜角度延伸，以便将所述第二掺杂区与所述第一掺杂区横向地分离。7.一种制造MOS电容器型光调制器的方法，所述MOS电容器型光调制器具有横向MOS电容器区，所述横向MOS电容器区包括将第一掺杂区和第二掺杂区横向地分离的竖直地延伸的绝缘体层，其中所述方法包括以下步骤：在绝缘体上硅SOI衬底的硅器件层中提供第一掺杂区；以及使半导体区从所述SOI衬底的所述硅器件层外延生长，其中所述半导体区包括所述第二掺杂区，并且所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层各自由不同的材料形成。8.如权利要求7所述的方法，其中所述半导体区从所述硅器件层的与所述MOS电容器区横向地偏移的区外延生长。9.如权利要求7或权利要求8所述的方法，其中所述半导体区是III
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V型半导体区。10.如权利要求7至9中任一项所述的方法，其中所述SOI衬底的所述硅器件层具有(100)晶体结构。11.如权利要求7至10中任一项所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：蚀刻所述半导体区的一部分以形成波导结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：洛克利光子有限公司，
类型：发明
国别省市：