电光调制器制造技术

一种基于金属氧化物半导体电容器MOSCAP的电光调制器。所述调制器包括：输入波导；调制区域，所述调制区域耦合到所述输入波导；以及输出波导，所述输出波导耦合到所述调制区域。所述调制区域包括n

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电光调制器


[0001]本专利技术涉及一种电光调制器。

技术介绍

[0002]基于金属氧化物半导体电容器(MOSCAP)的调制器由于形成电容器区域的介电层薄而通常具有大电容。由于要耗散大量电荷，因此较大的电容使调制器减慢。
[0003]调制效率随着更薄的电而提高，然而这是以增加电容为代价的。因此，为了实现高带宽，调制器的串联电阻必须尽可能小。
[0004]在已知的MOSCAP调制器的示例中，形成p
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n结，其中：下掺杂(n或p)区域通过横向延伸的绝缘层与上掺杂(p或n)区域竖直分离；或者，左侧掺杂(n或p)区域通过竖直延伸的绝缘层与右侧掺杂(p或n)区域横向分离。
[0005]然而，可用于硅光子应用的半导体的空穴迁移率比硅低一个数量级。这种较低的空穴迁移率导致更高的电阻，因此对于相同的掺杂密度导致更高的光损耗。这意味着MOSCAP装置的p侧限制了整体性能。如果提供n
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n结，则由于界面处缺乏载流子积累和消耗，因此调制效率较低。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基于金属氧化物半导体电容器MOSCAP的电光调制器，其包括：输入波导；调制区域，所述调制区域耦合到所述输入波导；以及输出波导，所述输出波导耦合到所述调制区域；其中所述调制区域包括n
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n结，所述n
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n结包括：第一n掺杂区域，所述第一n掺杂区域通过本征区域与p掺杂区域间隔开；以及第二n掺杂区域，所述第二n掺杂区域通过所述p掺杂区域与所述本征区域间隔开并且在所述本征区域的与所述第一n掺杂区域相对的一侧上。2.根据权利要求1所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域比所述第一n掺杂区域或所述第二n掺杂区域中的任一者或两者薄。3.根据权利要求1或权利要求2所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域的厚度等于所述本征区域的厚度。4.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域的厚度小于200nm。5.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述p掺杂区域的厚度小于100nm。6.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述本征区域由氧化物形成。7.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其还包括连接到所述第一n掺杂区域的第一电极和连接到所述第二n掺杂区域的第二电极。8.根据前述权利要求中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述本征区域以斜角延伸穿过所述调制区域。9.根据权利要求1至7中任一项所述的MOSCAP调制器，其中所述n
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【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：洛克利光子有限公司，
类型：发明
国别省市：