微环调制器制造技术

本发明专利技术实施例提供的微环调制器，包括：衬底层；位于所述衬底层上的平板波导层；并列设置在所述平板波导层中的耦合波导及微环谐振结构，所述微环谐振结构包括沿所述衬底层厚度方向依次层叠设置的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的掺杂类型相反；以及与所述微环谐振结构电连接的电极。的电极。的电极。

【技术实现步骤摘要】
微环调制器


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种微环调制器。

技术介绍

[0002]借鉴于大规模集成电路的发展路线，国内外正在开展研究将有源器件(例如调制器、探测器等)和光波导器件(例如分光器/稠合器等)集成到一个衬底上，以实现具有类似大规模集成电路的优点的光子集成芯片。光子集成芯片具有低成本、小尺寸、低功耗、灵活扩展和高可靠性等特点。在光纤通信过程中，光的强度可以通过电光调制器进行控制，因此，电光调制器在光纤通信系统中占据了重要地位。同时，电光调制器也是光子集成芯片解决方案中的重要光电器件之一。
[0003]近年来，硅基电光调制器是电光调制器中重要的研究方向，在光通信领域中的光交叉连接(Optical Cross
‑
connect，OXC)和光的差分复用(Optical Add
‑
Drop Multiplexer，OADM)等有着至关重要的作用。硅基电光调制器主要有两种，一种是电致折射率电光调制器，通过干涉仪或谐振装置实现相位到强度的变化，最终实现光信号的调制；另一种是电致吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微环调制器，其特征在于，包括：衬底层；位于所述衬底层上的平板波导层；并列设置在所述平板波导层中的耦合波导及微环谐振结构，所述微环谐振结构包括沿所述衬底层厚度方向依次层叠设置的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的掺杂类型相反；以及与所述微环谐振结构电连接的电极。2.根据权利要求1所述的微环调制器，其特征在于，所述第一掺杂结构包括第一掺杂区和与所述第一掺杂区掺杂类型相同且包围所述第一掺杂区的第二掺杂区；所述第二掺杂结构包括第三掺杂区和与所述第三掺杂区掺杂类型相同且包围所述第三掺杂区的第四掺杂区；其中，所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构通过所述第二掺杂区与所述第四掺杂区物理连接；所述第一掺杂区与所述第三掺杂区无物理接触；所述耦合波导的顶面与至少部分所述第二掺杂区的顶面均高于所述平板波导层的顶面。3.根据权利要求2所述的微环调制器，其特征在于，所述第一掺杂区、第二掺杂区包括P型掺杂，所述第三掺杂区、第四掺杂区包括N型掺杂。4.根据权利要求2所述的微环调制器，其特征在于，所述耦合波导的顶面与所述第二掺杂区的顶面齐平。5.根据权利要求2所述的微环调制器，其特征在于，所述电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇光，肖希，王磊，胡晓，陈代高，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：