一种降低VF的分离栅MOSFET结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种降低VF的分离栅MOSFET结构，利用上部的多晶栅极三、栅氧化层三、N+结构、N

A separate gate MOSFET structure for reducing VF

【技术实现步骤摘要】
一种降低VF的分离栅MOSFET结构


[0001]本技术主要涉及功率半导体器件
，特别涉及一种降低VF的分离栅MOSFET结构。

技术介绍

[0002]功率MOSFET作为功率器件一种，近些年应用越来越广泛，而分离栅MOSFET作为普通沟槽结构的升级结构，其单位面积的导通电阻更低，单位面积的电容参数更低，这样更降低了功率MOSFET的导通和开关损耗，让单位面积的电流处理能力大大提高，拓宽了MOSFET在大电流高频率领域的应用范围，也让功率MOSFET近些年的需求进一步增大。
[0003]在很多电路中，MOSFET通常使用在功率转换的应用中，此类应用要求功率MOSFET必须有较好的交频特性，即MOSFET的寄生体二极管的压降VF要足够低。由于PN结的功函数特性，寄生体二极管的VF值都会在0.7V以上，通常在0.8V左右，而一些低VF二极管或肖特基二极管的VF值都在0.7V以下。
[0004]为了改善MOSFET的交频特性，早期多采用将单独的功率MOSFET器件与VF相对更低的功率肖特基二极管器件并联使用的方式，如图1
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低VF的分离栅MOSFET结构，其特征在于：包括N+衬底层（1），所述N+衬底层（1）上设有N
‑
外延层（2），所述N
‑
外延层（2）上开设有沟槽（3），所述沟槽（3）从底部到顶部沿竖直方向分别设有栅氧化层一（4）和栅氧化层二（5），所述栅氧化层一（4）和栅氧化层二（5）内分别包裹有多晶栅极一（6）和多晶栅极二（7），所述沟槽（3）顶部两侧设有栅氧化层三（8），所述栅氧化层三（8）上设有多晶栅极三（9）；其中所述沟槽（...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱鑫，
申请(专利权)人：芜湖华沅微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：