一种片式叠层EMI滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于抗电磁干扰的片式叠层ＥＭＩ滤波器，它主要由上保护层１１ａ、下保护层１１ｄ、以及交互叠加的信号馈通内电极层１１ｂ和接地内电极层１１ｃ叠合而成，其中，接地内电极１３ａ采用两端的端部宽度比中部的宽度要窄的形状，并且在接地内电极层１１ｃ平面内，另外两条信号馈通内电极１５ａ分别配置在接地内电极１３ａ的两侧，但均不与接地内电极１３ａ产生电学连接；接地内电极层１１ｃ与信号馈通内电极层１１ｂ至少要交替叠层１次或１次以上。通过两条接地内电极层１１ｃ内的信号馈通内电极１５ａ分别配置在接地内电极１３ａ的两侧，可改善插入损耗特性。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于抗电磁干扰的片式叠层EMI滤波器(片式叠层穿心电容器)。随着数字信号频率的不断增加，插入损耗特性、等效串联电感ESL以及等效串联电阻ESR在电路中的影响作用越来越大，特别是低等效串联电感ESL和低等效串联电阻ESR对于300MHz及以上的数字信号处理器DSPs具有极大的改善作用；最近几年的全球电磁兼容性立法等多种因素促进了无源片式叠层元器件设计的发展。因此改变传统片式叠层电容器的结构，使之具有低等效串联电感ESL、低等效串联电阻ESR、抗EMI和良好的插入损耗特性具有重大意义，如特平11-144997、特平05-299292、特平06-275463、特平10-154632、US4947286和US5822174等。图5、图2和图6是现有片式叠层穿心电容器的典型图例。片式叠层穿心电容器内部结构的分解斜视如图5所示，片式叠层穿心电容器的外观斜视如图2所示。在图5中，片式叠层穿心电容器由上保护层1a、下保护层1d、以及交互叠加的信号馈通内电极层1b和接地内电极层1c叠合而成，其中，接地内电极3a采用两端的端部宽度比中部的宽度要窄的形状；并且，接地内电极层1c与信号馈通内电极层1b至少要交替叠层1次或1次以上。如图2所示，片式叠层穿心电容器叠层体1的一对端面与信号馈通内电极2a形成电学连接从而构成第一外部电极4a，另一对端面形成与接地内电极3a电学连接的第二外部电极4b。其等效电路如图6所示，信号馈通内电极由等效串联电感5、等效串联电阻6等组成，交互叠加的信号馈通内电极层1b和接地内电极层1c形成电容器7，同时也产生了等效串联电感8、等效串联电阻9。该片式叠层穿心电容器按如下所述的方法制造。首先，将一定量的介质瓷粉与粘合剂混合形成浆料，然后流延制成有一定厚度的薄膜，再用导电浆料在其上面印刷成一定宽度的信号馈通内电极2a和接地内电极3a，接着将这些印刷有内电极的薄膜交替叠层，使得信号馈通内电极2a和接地内电极3a之间夹有介质层，然后层压，排除粘合剂，再进行烧结；此后，在该烧结体端面涂覆导电体浆料，并烧结，最后形成第一外部电极4a和第二外部电极4b。尽管现有片式叠层穿心电容器有效地降低了等效串联电感、等效串联电阻，并且有较好的插入损耗特性，但对于片式叠层穿心电容器这类滤波器仍然有进一步改善其插入损耗特性的余地。本专利技术的目的就是提供一种低成本的、进一步改善插入损耗特性的片式叠层EMI滤波器。本专利技术是这样实现的在相同平面电介质层中，由一条接地内电极沿长度方向平行地配置在两条接地内电极层内信号馈通内电极的中间，两条接地内电极层内的信号馈通内电极沿长度方向平行地分布在接地内电极的两侧，从而在相同平面的电介质层中使接地内电极层内的信号馈通内电极与接地内电极产生电容耦合，因而可使片式叠层EMI滤波器在高频带区内的插入损耗特性得到改善。附图说明图1是本专利技术第一实施例的分解斜视图。图2是本专利技术的外观斜视图。图3是本专利技术的等效电路图。图4是本专利技术第二实施例的分解斜视图。图5是现有片式叠层穿心电容器的分解斜视图。图6是现有片式叠层穿心电容器的等效电路图。以下参照图1～3来说明本专利技术第一实施例片式叠层EMI滤波器。这种片式叠层EMI滤波器如图1所示，由上保护层11a、下保护层11d、以及交互叠加的信号馈通内电极层11b和接地内电极层11c叠合而成，其中，接地内电极13a采用两端的端部宽度比中部的宽度要窄的形状，并且在接地内电极层11c平面内，另外两条信号馈通内电极15a分别配置在接地内电极13a的两侧，但均不与接地内电极13a产生电学连接；接地内电极层11c与信号馈通内电极层11b至少要交替叠层1次或1次以上。这种片式叠层EMI滤波器的外观斜视如图2所示，其叠层体1的一对端面与信号馈通内电极12a、接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a形成电学连接从而构成第一外部电极4a，另一对端面形成与接地内电极13a电学连接的第二外部电极4b。图3是这种片式叠层EMI滤波器的等效电路图，交互叠加的信号馈通内电极12a和接地内电极13a形成电容器17，同时也产生了等效串联电感18、等效串联电阻19；接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a与接地内电极13a形成耦合电容17c，同时也产生了等效串联电感18c、等效串联电阻19c；信号馈通内电极12a等效为由等效串联电感15、等效串联电阻16等组成。这种片式叠层EMI滤波器由于有两条接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a分别配置在接地内电极13a的两侧，并且形成耦合电容17c，因而形成了类似PI型结构的滤波器，从而改善了这种片式叠层EMI滤波器在高频带区内的插入损耗特性。这种片式叠层EMI滤波器与图5所示的现有片式叠层穿心电容器制作方法相同。首先，将一定量的介质瓷粉与粘合剂混合形成浆料，然后流延制成有一定厚度的薄膜，再用导电浆料在其上面印刷成一定宽度的信号馈通内电极12a和接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a、接地内电极13a，接着将这些印刷有内电极的薄膜交替叠层，使得信号馈通内电极12a和接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a、接地内电极13a之间夹有介质层，但接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a与接地内电极13a之间不能产生电学连接，然后层压，排除粘合剂，再进行烧结；此后，在该烧结体端面涂覆导电体浆料，并烧结，最后形成第一外部电极4a和第二外部电极4b。以下参照图4、图2来说明本专利技术第二实施例片式叠层EMI滤波器。本实施例的片式叠层EMI滤波器如图4所示，由上保护层11a、下保护层11d、以及交互叠加的信号馈通内电极层11b和接地内电极层11c叠合而成，其中，接地内电极13a采用两端的端部宽度比中部的宽度要窄的形状，并且在接地内电极层11c平面内，另外两条信号馈通内电极15a分别配置在接地内电极13a的两侧，但不与接地内电极13a产生电学连接；接地内电极层11c与信号馈通内电极层11b至少要交替叠层1次或1次以上。其与图1的区别在于，信号馈通内电极14a和14e并不贯通信号馈通内电极层11b平面。本实施例的片式叠层EMI滤波器的外观斜视可参照图2所示。其叠层体1的一对端面与信号馈通内电极14a、14e、接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a形成电学连接从而构成第一外部电极4a，另一对端面形成与接地内电极13a电学连接的第二外部电极4b。本实施例的片式叠层EMI滤波器与图1所示的片式叠层EMI滤波器的制造方法相同，区别在于印刷的信号馈通内电极14a和14e不贯通整个信号馈通内电极层11b平面。同样，由于采用了在接地内电极层11c平面内，另外两条接地内电极层11c内的信号馈通内电极15a分别配置在接地内电极13a的两侧，但均不与接地内电极13a产生电学连接，从而形成耦合电容17c，这样就改善了这种片式叠层EMI滤波器在高频带区内的插入损耗特性。如上所述的实施例是本专利技术较佳的实施例，但本专利技术不限于这些实施例。例如，配置在接地内电极两侧的两条信号馈通内电极形状的改变、配置在接地内电极两侧的信号馈通内电极与接地内电极的距离变化等。权利要求1.一种片式叠层EMI滤波器，信号馈通内电极层11b和接地内电极层11c交替叠层，其特征在于在相同平面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式叠层ＥＭＩ滤波器，信号馈通内电极层１１ｂ和接地内电极层１１ｃ交替叠层，其特征在于：在相同平面电介质层中，两条接地内电极层１１ｃ内的信号馈通内电极１５ａ分别沿长度方向平行地配置在接地内电极１３ａ的两侧，但均不与接地内电极１５ａ产生电学连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周少荣，
申请(专利权)人：肇庆冠华现代电子元件有限公司，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]