三基色发光二极管芯片制造技术

本公开提供了一种三基色发光二极管芯片，包括：透明基板、外延结构、第一透明导电层、第二透明导电层、第三透明导电层、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极；外延结构包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，第一外延层、第一透明导电层、第二透明导电层、第二外延层、第三透明导电层和第三外延层依次层叠于透明基板外，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均位于第三外延层远离透明基板的一侧，且第一电极与第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层相连，第二电极与第一外延层相连，第三电极与第二外延层相连，第四电极与第三外延层相连。本公开能缩减三基色发光二极管芯片的尺寸。的尺寸。的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
三基色发光二极管芯片


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种三基色发光二极管芯片。

技术介绍

[0002]三基色发光二极管是通过三基色原理使发光二极管发出不同颜色的光的电子元件。三基色发光二极管具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。
[0003]相关技术中，三基色发光二极管通常包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括同层并列分布的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层。其中，第一电极和第二电极均设置外延结构的同侧或异侧。
[0004]然而，外延结构中该种并列分布的三种外延层会占用较大的面积，限制了三基色发光二极管芯片尺寸的进一步缩小，不利于满足使用需求。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种三基色发光二极管芯片，能缩减三基色发光二极管芯片的尺寸，且使三基色发光二极管芯片满足使用需求。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种三基色发光二极管芯片，所述三基色发光二极管芯片包括：透明基板、外延结构、第一透明导电层、第二透明导电层、第三透明导电层、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极；所述外延结构包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第一外延层、所述第一透明导电层、所述第二透明导电层、所述第二外延层、所述第三透明导电层和所述第三外延层依次层叠于所述透明基板外，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极均位于所述第三外延层远离所述透明基板的一侧，且所述第一电极与所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层相连，所述第二电极与所述第一外延层相连，所述第三电极与所述第二外延层相连，所述第四电极与所述第三外延层相连。
[0007]在本公开实施例的一种实现方式中，所述第一外延层包括依次层叠于所述透明基板上的第一n型层、第一发光层和第一p型层；所述第二外延层包括依次层叠于所述第二透明导电层上的第二p型层、第二发光层和第二n型层；所述第三外延层包括依次层叠于所述第三透明导电层上的第三p型层、第三发光层和第三n型层。
[0008]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第三n型层的表面具有绝缘结构，所述发光二极管芯片具有第一凹槽，所述第一凹槽从第三外延层至少延伸至所述第一透明导电层，以露出所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层；所述第一电极包括：p电极和第一金属条，所述p电极与所述第一金属条相连；所述p电极位于所述绝缘结构上，所述第一金属条位于所述第一凹槽中，且与所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层相连。
[0009]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述发光二极管芯片具有第二凹槽，所述第二凹槽从第三外延层至少延伸至所述第一n型层，以露出所述第一n型层，所述第二凹槽
中具有第一绝缘层，所述第一绝缘层从所述第三外延层延伸至所述第一n型层；所述第二电极包括：第一n电极和第二金属条，所述第一n电极与所述第二金属条相连；所述第一n电极位于所述绝缘结构上，所述第二金属条位于所述第二凹槽中，并与所述第一n型层相连。
[0010]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述发光二极管芯片具有第三凹槽，所述第三凹槽从第三外延层至少延伸至所述第二n型层，以露出所述第二n型层，所述第三凹槽中具有第二绝缘层，所述第二绝缘层从所述第三外延层延伸至所述第二n型层；所述第三电极包括：第二n电极和第三金属条，所述第二n电极与所述第三金属条相连；所述第二n电极位于所述绝缘结构上，所述第三金属条位于所述第三凹槽中，并与所述第二n型层相连。
[0011]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述绝缘结构包括第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第三n型层的表面，所述第三绝缘层具有露出所述第三n型层的通孔，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极均位于所述第三绝缘层上，所述第四电极位于所述通孔内；或者，所述绝缘结构包括第一绝缘块、第二绝缘块和第三绝缘块，所述第一电极位于所述第一绝缘块上，所述第二电极位于所述第二绝缘块上，所述第三电极位于所述第三绝缘块上，所述第四电极位于所述第三n型层的表面。
[0012]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述三基色发光二极管芯片还包括：第一滤光层和第二滤光层；所述第一滤光层位于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间，所述第一滤光层的吸收波长与所述第一外延层的发光波长一致；所述第二滤光层位于所述第三透明导电层和所述第二外延层之间，所述第二滤光层的透射波长与所述第三外延层的发光波长一致。
[0013]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述三基色发光二极管芯片还包括钝化层，所述钝化层位于所述第二外延层和所述第二滤光层之间。
[0014]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述三基色发光二极管芯片还包括：第一键合层和第二键合层，所述第一键合层位于所述第一透明导电层和所述第一滤光层之间，所述第二键合层位于所述钝化层和所述第二滤光层之间。
[0015]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一外延层为蓝光外延层，所述第一外延层的厚度为2μm至4μm；所述第二外延层为绿光外延层，所述第二外延层的厚度为2μm至4μm；所述第三外延层为红光外延层，所述第三外延层的厚度为3μm至5μm。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供三基色发光二极管芯片包括依次层叠的透明基板、第一外延层、第一透明导电层、第二透明导电层、第二外延层、第三透明导电层和第三外延层。其中，第一电极和第二电极均设置在第三外延层的表面，第一电极与第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层相连，以使第一电极分别与第一外延层、第二外延层和第三外延层电性连接；第二电极与第一外延层相连，第三电极与第二外延层相连，第四电极与第三外延层相连，以使三个电极分别与三个外延层电性连接，这样就使三个外延层能正常通电发光。
[0018]由于第一外延层、第二外延层和第三外延层是层叠分布的，相较于相关技术中将三种外延层并列分布的方式，能将芯片的尺寸缩小至原尺寸的三分之一，可以显著缩小像素单元的面积，降低三基色发光二极管芯片的尺寸，满足三基色发光二极管芯片的使用需求。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本公开实施例提供的一种三基色发光二极管芯片的俯视图；
[0021]图2是图1提供的A
‑
A截面图；
[0022]图3是本公开实施例提供的一种三基色发光二极管芯片的结构示意图；
[0023]图4是图1提供的B
‑
B截面图；
[0024]图5是图1提供的C
‑
C截面图；
[0025本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述三基色发光二极管芯片包括：透明基板(10)、外延结构(2)、第一透明导电层(31)、第二透明导电层(32)、第三透明导电层(33)、第一电极(41)、第二电极(421)、第三电极(422)、第四电极(423)；所述外延结构(2)包括第一外延层(21)、第二外延层(22)和第三外延层(23)，所述第一外延层(21)、所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)、所述第二外延层(22)、所述第三透明导电层(33)和所述第三外延层(23)依次层叠于所述透明基板(10)外，所述第一电极(41)、所述第二电极(421)、所述第三电极(422)和所述第四电极(423)均位于所述第三外延层(23)远离所述透明基板(10)的一侧，且所述第一电极(41)与所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)和所述第三透明导电层(33)相连，所述第二电极(421)与所述第一外延层(21)相连，所述第三电极(422)与所述第二外延层(22)相连，所述第四电极(423)与所述第三外延层(23)相连。2.根据权利要求1所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述第一外延层(21)包括依次层叠于所述透明基板(10)上的第一n型层(211)、第一发光层(212)和第一p型层(213)；所述第二外延层(22)包括依次层叠于所述第二透明导电层(32)上的第二p型层(223)、第二发光层(222)和第二n型层(221)；所述第三外延层(23)包括依次层叠于所述第三透明导电层(33)上的第三p型层(233)、第三发光层(232)和第三n型层(231)。3.根据权利要求2所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述第三n型层的表面具有绝缘结构(61)，所述发光二极管芯片具有第一凹槽(201)，所述第一凹槽(201)从第三外延层(23)至少延伸至所述第一透明导电层(31)，以露出所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)和所述第三透明导电层(33)；所述第一电极(41)包括：p电极(410)和第一金属条(411)，所述p电极(410)与所述第一金属条(411)相连；所述p电极(410)位于所述绝缘结构(61)上，所述第一金属条(411)位于所述第一凹槽(201)中，且与所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)和所述第三透明导电层(33)相连。4.根据权利要求3所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片具有第二凹槽(202)，所述第二凹槽(202)从第三外延层(23)至少延伸至所述第一n型层(211)，以露出所述第一n型层(211)，所述第二凹槽(202)中具有第一绝缘层(62)，所述第一绝缘层(62)从所述第三外延层(23)延伸至所述第一n型层(211)；所述第二电极(421)包括：第一n电极(4201)和第二金属条(424)，所述第一n电极(4201)与所述第二金属条(424)相连；所述第一n电极(4201)位于所述绝缘结构(61)上，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，朱广敏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：新型
国别省市：