发光元件和显示装置制造方法及图纸

技术编号:33721762 阅读:11 留言:0更新日期:2022-06-08 21:14
公开了一种发光元件和显示装置。一种发光元件包括:第一n型半导体层;设置在第一n型半导体层上的第一发光层;设置在第一发光层上的第一p型半导体层;设置在第一p型半导体层上的第二p型半导体层;设置在第一p型半导体层与第二p型半导体层之间的接合层;设置在第二p型半导体层上的第二发光层;设置在第二发光层上的第二n型半导体层;设置在第二p型半导体层上的p型电极;设置在第一n型半导体层上的第一n型电极;以及设置在第二n型半导体层上的第二n型电极。电极。电极。

【技术实现步骤摘要】
发光元件和显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10

2020

0168658号的优先权,其公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开内容涉及一种发光元件和显示装置,并且更具体地,涉及一种发射多种光的发光元件和应用该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0004]作为用于计算机、电视或手机的监视器的显示装置,存在作为自发射装置的有机发光显示装置(OLED)和需要单独的光源的液晶显示装置(LCD)。
[0005]显示装置的应用范围被多样化到个人数字助理以及计算机和电视的监视器,并且正在研究具有大显示区域以及减小的体积和重量的显示装置。
[0006]此外,近年来,包括LED的显示装置作为下一代显示装置受到关注。由于LED由无机材料而不是有机材料形成,因此可靠性极好,使得其寿命比液晶显示装置或有机发光显示装置的寿命长。此外,LED具有快的发光速度、极好的发光效率和强的抗冲击性,使得稳定性极好,并且可以显示具有高亮度的图像。

技术实现思路

[0007]本公开内容要实现的目的是提供一种发射一种或更多种颜色光的发光元件及应用该发光元件的显示装置。本公开内容的目的不限于上面提到的目的,并且本领域技术人员通过以下描述可以清楚地理解上面未提到的其他目的。
[0008]根据本公开内容的一方面,一种发光元件包括:第一n型半导体层;设置在第一n型半导体层上的第一发光层;设置在第一发光层上的第一p型半导体层;设置在第一p型半导体层上的第二p型半导体层;设置在第一p型半导体层与第二p型半导体层之间的接合层;设置在第二p型半导体层上的第二发光层;设置在第二发光层上的第二n型半导体层;设置在第二p型半导体层上的p型电极;设置在第一n型半导体层上的第一n型电极;以及设置在第二n型半导体层上的第二n型电极。因此,发光元件包括发射不同颜色光以发射一种或更多种颜色光的第一发光层和第二发光层。
[0009]根据本公开内容的另一方面,一种显示装置包括:基板,其包括设置有多个像素的显示区域和在显示区域附近的非显示区域;以及第一发光元件和第二发光元件,所述第一发光元件和所述第二发光元件设置在多个像素中的每一个像素中。此时,第一发光元件和第二发光元件中的每一个包括:设置在基板上的第一n型半导体层;设置在第一n型半导体层上的第一发光层;设置在第一发光层上的p型半导体层;设置在p型半导体层上的第二发光层;设置在第二发光层上的第二n型半导体层;设置在p型半导体层上的p型电极;设置在第一n型半导体层上的第一n型电极;以及设置在第二n型半导体层上的第二n型电极。
[0010]示例性实施方式的其他详细事项包括在详细描述和附图中。
[0011]根据本公开内容的示例性实施方式,发光元件可以一起发射红光和绿光,或者一起发射红光和蓝光。
[0012]根据本公开内容的示例性实施方式,与具有相关技术的结构的显示装置相比,该显示装置可以用减少的数目的发光元件构造像素。因此,可以增加空间利用率,并且当其应用于透明显示装置时,可以显著提高开口率。此外,根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置还可以提高对比度。此外,与具有相关技术的结构的显示装置相比,该显示装置可以降低生产成本。
[0013]根据本公开内容的效果不限于以上例示的内容,并且本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
[0014]根据以下结合附图进行的详细描述,将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点,在附图中:
[0015]图1是根据本公开内容的示例性实施方式的晶片的平面图;
[0016]图2是根据本公开内容的实施方式的晶片的放大平面图;
[0017]图3A是根据本公开内容的示例性实施方式的多个发光元件的平面图;
[0018]图3B是沿图3A的IIIb

IIIb

截取的截面图;
[0019]图3C是沿图3A的IIIc

IIIc

截取的截面图;
[0020]图3D是沿图3A的IIId

IIId

截取的截面图;
[0021]图4A至图4G是用于说明根据本公开内容的示例性实施方式的制造晶片的方法的过程图;
[0022]图5是根据本公开内容的另一实施方式的晶片的截面图;
[0023]图6A至图6D是示出了根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的视图;
[0024]图7A至图7C是示出了根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的截面图;以及
[0025]图8A和图8B是示出了根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的视图。
具体实施方式
[0026]通过参考以下与附图一起详细描述的示例性实施方式,本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而,本公开内容不限于本文中公开的示例性实施方式,而是将以各种形式来实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式,使得本领域技术人员能够充分理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此,本公开内容将仅由所附权利要求的范围限定。
[0027]附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅仅是示例,并且本公开内容不限于此。贯穿说明书,相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开内容的以下描述中,可以省略对已知相关技术的详细说明以避免不必要地模糊本公开内容的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由
……
组成”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明,否则
任何对单数的引用都可以包括复数。
[0028]即使没有明确说明,部件也被解释为包括普通的误差范围。
[0029]当使用诸如“在
……
上”、“在
……
上方”、“在
……
下方”和“紧接着”的术语来描述两个部分之间的位置关系时,除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用,否则一个或更多个部分可以位于这两个部分之间。
[0030]当元件或层设置“在另一元件或层上”时,又一层或又一元件可以直接插入在另一元件上或在其之间。
[0031]尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件,但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此,下面要提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
[0032]贯穿说明书,相同的附图标记通常表示相同的元件。
[0033]附图中所示的每一个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的,并且本公开内容不限于所示的部件的尺寸和厚度。
[0034]本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合,并且可以在技术上以各种本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件,包括:第一n型半导体层;设置在所述第一n型半导体层上的第一发光层;设置在所述第一发光层上的第一p型半导体层;设置在所述第一p型半导体层上的第二p型半导体层;设置在所述第一p型半导体层与所述第二p型半导体层之间的接合层;设置在所述第二p型半导体层上的第二发光层;设置在所述第二发光层上的第二n型半导体层;设置在所述第二p型半导体层上的p型电极;设置在所述第一n型半导体层上的第一n型电极;以及设置在所述第二n型半导体层上的第二n型电极。2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一n型半导体层的一部分从所述第一发光层、所述第一p型半导体层、所述第二p型半导体层、所述第二发光层和所述第二n型半导体层向外突出,并且所述第一n型电极设置在所述第一n型半导体层的从所述第一发光层和所述第二发光层向外突出的该部分上。3.根据权利要求2所述的发光元件,其中,整个所述第二p型半导体层与所述第一发光层交叠,所述第二p型半导体层的一部分从所述第二发光层和所述第二n型半导体层向外突出,并且所述p型电极设置在所述第二p型半导体层的从所述第二发光层向外突出的该部分上。4.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一n型电极的厚度大于所述第二n型电极的厚度。5.根据权利要求4所述的发光元件,其中,所述第一n型电极由不透明导电材料形成,并且所述第二n型电极由透明导电材料形成。6.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述接合层由具有高透射率的导电材料形成,并且所述p型电极借助于所述第二p型半导体层和所述接合层电连接至所述第一p型半导体层。7.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述接合层由具有高透射率的非导电材料形成,并且所述p型电极的一部分穿过所述第二p型半导体层和所述接合层以与所述第一p型半导体层接触。8.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一发光层是绿色发光层和蓝色发光层中之一,并且所述第二发光层是红色发光层。9.一种显示装置,包括:基板,其包括设置有多个像素的显示区域和在所述显示区域附近的非显示区域;以及设置在所述多个像素中的每一个中的第一发光元件和第二发光元件,其中,所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每一个包括:设置在所述基板上的第一n型半导体层;设置在所述第一n型半导体层上的第一发光层;设置在所述第一发光层上的p型半导体层;设置在所述p型半导体层上的第二发光层;
设置在所述第二发光层上的第二n型半导体层;设置在所述p型半导体层上的...

【专利技术属性】
技术研发人员:李久和丁愚南孙眩镐
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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