发光二极管芯片及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种发光二极管芯片，包括：发光功能层，包括：依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层包括：间隔设置的多个第二半导体图形；第一电极层，包括：第一电极图形，所述第一电极图形与所述第一半导体层电连接；第二电极层，位于所述第二半导体层背向所述发光层的一侧，包括：与所述第二半导体图形一一对应的多个第二电极图形，所述第二电极图形与对应的所述第二半导体图形电连接。本公开实施例还提供了一种发光二极管芯片的制备方法和显示装置。光二极管芯片的制备方法和显示装置。光二极管芯片的制备方法和显示装置。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片及其制备方法和显示装置


[0001]本公开涉及显示领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]微发光二极管(微型无机发光二极管)为自发光结构，无需背光源，其尺寸仅在1～10um等级左右。微型无机发光二极管显示装置的本质是微型化LED 阵列，也就是将无机发光二极管芯片结构设计进行薄膜化、微小化及阵列化后，将巨量的微型无机发光二极管芯片批量转移到驱动基板上，然后利用物理沉积技术生成保护层，再进行基板封装，最终能得到微型无机发光二极管显示装置。
[0003]目前，微型无机发光二极管显示装置中的每个微型无机发光二极管芯片都是独立的一个颗粒，在进行转移工艺过程中，每次转移的无机发光二极管芯片颗粒量非常大，对转移工艺的稳定性和精确度要求非常高。

技术实现思路

[0004]本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种发光二极管芯片及其制备方法和显示装置.
[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，包括：
[0006]发光功能层，包括：依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层包括：间隔设置的多个第二半导体图形；
[0007]第一电极层，包括：第一电极图形，所述第一电极图形与所述第一半导体层电连接；
[0008]第二电极层，位于所述第二半导体层背向所述发光层的一侧，包括：与所述第二半导体图形一一对应的多个第二电极图形，所述第二电极图形与对应的所述第二半导体图形电连接。/>[0009]在一些实施例中，所述第一电极图形位于所述第一半导体层的侧面。
[0010]在一些实施例中，所述第一电极图形与所述第一半导体层的侧面相接触。
[0011]在一些实施例中，所述发光二极管芯片还包括：绝缘层；
[0012]所述绝缘层位于所述第二半导体层背向所述发光层的一侧，所述绝缘层上设置有与所述第二半导体图形对应的多个过孔；
[0013]所述第二电极层位于所述绝缘层背向所述第二半导体层的一侧，所述第二电极图形通过过孔与对应的所述第二导体图形电连接。
[0014]在一些实施例中，所述发光二极管芯片还包括：透明电极，所述透明电极位于所述第二电极图形与对应的所述第二半导体图形之间。
[0015]在一些实施例中，所述发光层在所述第一半导体层所处平面上的正投影位于所述第一半导体层所处区域内，所述发光层在所述第一半导体层所处平面上的正投影覆盖所述第一半导体层的部分区域。
[0016]在一些实施例中，所述发光二极管芯片还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述第一半导体层背向所述发光层的一侧。
[0017]第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：如第一方面提供的发光二极管芯片。
[0018]在一些实施例中，所述显示装置还包括：驱动基板；
[0019]所述驱动基板包括：驱动功能层和像素界定层，所述驱动功能层包括：多个第一连接端子，所述像素界定层限定出多个像素容纳孔，所述像素容纳孔对应一个或多个发光二极管芯片；
[0020]所述像素容纳孔内设置有多个所述第一连接端子，所述发光二极管芯片倒装于对应的像素容纳孔内且所述第二电极图形与对应所述像素容纳孔内的第一连接端子电连接。
[0021]在一些实施例中，所述第一电极图形位于所述第一半导体层的侧面，所述第一电极图形的至少部分从像素容纳孔背向所述驱动功能层的一侧伸出。
[0022]在一些实施例中，所述像素容纳孔对应多个发光二极管芯片；
[0023]在对应同一所述像素容纳孔的多个所述发光二极管芯片中，相邻所述发光二极管芯片的所述第一电极图形相接触。
[0024]在一些实施例中，所述像素容纳孔配置有对应的至少一个第二连接端子，所述第二连接端子位于所述像素界定层背向所述驱动功能层的一侧，所述第二连接端子与驱动功能层中对应的信号走线电连接；
[0025]在对应同一所述像素容纳孔的多个所述发光二极管芯片中，位于最外侧的至少一个所述发光二极管芯片的所述第一电极图形与所述像素容纳孔所对应的所述第二连接端子电连接。
[0026]在一些实施例中，所述像素容纳孔对应1个发光二极管芯片，所述像素容纳孔背向所述驱动功能层的一侧设置有导电电极；
[0027]多个所述发光二极管芯片的第一电极图形通过所述导电电极电连接。
[0028]第三方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管芯片的制备方法，可用于制备第一方面的发光二极管芯片，所述制备方法包括：
[0029]在衬底基板的一侧形成发光功能层，所述发光功能层包括：依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层包括：间隔设置的多个第二半导体图形；
[0030]在衬底基板上形成有发光功能层的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括：第一电极图形，所述第一电极图形与所述第一半导体层电连接；
[0031]在所述第二半导体层背向所述发光层的一侧形成第二电极层，所述第二电极层包括：与所述第二半导体图形一一对应的多个第二电极图形，所述第二电极图形与对应的所述第二半导体图形电连接。
[0032]在一些实施例中，在衬底基板的一侧形成发光功能层的步骤包括：
[0033]在衬底基板上依次形成第一半导体材料薄膜、发光材料薄膜和第二半导体材料薄膜；
[0034]对所述第二半导体材料薄膜进行图案化处理，以得到所述第二半导体层，所述第二半导体层包括：间隔设置的多个第二半导体图形；
[0035]对所述发光材料薄膜进行图案化处理，以得到所述发光层；
[0036]对所述第一半导体材料薄膜进行图案化处理，以得到第一半导体层的图形，所述发光层在所述第一半导体层所处平面上的正投影位于所述第一半导体层所处区域内，所述发光层在所述第一半导体层所处平面上的正投影覆盖所述第一半导体层的部分区域；
[0037]在衬底基板上形成有发光功能层的一侧形成第一电极层的步骤包括：
[0038]在所述第二半导体层背向所述发光层的一侧形成第一电极材料薄膜，所述第一电极材料薄膜覆盖所述第一半导体层的侧面；
[0039]对所述第一电极材料薄膜进行图案化工艺，以得到所述第一电极图形，所述第一电极图形位于所述第一半导体层的侧面且与所述第一半导体层的侧面相接触。
附图说明
[0040]图1为本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的结构示意图；
[0041]图2为图1的一种俯视示意图；
[0042]图3为图1中A-A
’
向的一种截面示意图；
[0043]图4为相关技术中无机发光二极管芯片的一种俯视示意图；
[0044]图5为图4中B-B
’
向的一种截面示意图；
[0045]图6为相关技术中相邻的两个微型无机发光二极管芯片及其实际出光区域的示意图；
[0046]图7为本公开实施例提供的无机发光二极管芯片上相邻的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：发光功能层，包括：依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层包括：间隔设置的多个第二半导体图形；第一电极层，包括：第一电极图形，所述第一电极图形与所述第一半导体层电连接；第二电极层，位于所述第二半导体层背向所述发光层的一侧，包括：与所述第二半导体图形一一对应的多个第二电极图形，所述第二电极图形与对应的所述第二半导体图形电连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极图形位于所述第一半导体层的侧面。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极图形与所述第一半导体层的侧面相接触。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：绝缘层；所述绝缘层位于所述第二半导体层背向所述发光层的一侧，所述绝缘层上设置有与所述第二半导体图形对应的多个过孔；所述第二电极层位于所述绝缘层背向所述第二半导体层的一侧，所述第二电极图形通过过孔与对应的所述第二导体图形电连接。5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：透明电极，所述透明电极位于所述第二电极图形与对应的所述第二半导体图形之间。6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光层在所述第一半导体层所处平面上的正投影位于所述第一半导体层所处区域内，所述发光层在所述第一半导体层所处平面上的正投影覆盖所述第一半导体层的部分区域。7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述第一半导体层背向所述发光层的一侧。8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-7中任一所述的发光二极管芯片。9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括：驱动基板；所述驱动基板包括：驱动功能层和像素界定层，所述驱动功能层包括：多个第一连接端子，所述像素界定层限定出多个像素容纳孔，所述像素容纳孔对应一个或多个发光二极管芯片；所述像素容纳孔内设置有多个所述第一连接端子，所述发光二极管芯片倒装于对应的像素容纳孔内且所述第二电极图形与对应所述像素容纳孔内的第一连接端子电连接。10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极图形位于所述第一半导体层的侧面，所述第一电极图形的至少部分从像素容纳孔背向所述驱动功能层的一侧伸出。11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述像素容纳孔对应多个发光二极管芯片；在对应同一所述像素容纳孔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立震，袁广才，姚琪，王明星，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：