本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，其中，该发光器件包括：第一金属层；第一磊晶结构，位于第一金属层的一侧；第二磊晶结构，位于第一磊晶结构的背离第一金属层的一侧；第二金属层，位于第一磊晶结构与第二磊晶结构之间，第二金属层具有镂空部；透明导电层，位于第二磊晶结构的背离第一金属层的一侧。本公开实施例的技术方案可以提升发光器件的发光亮度。件的发光亮度。件的发光亮度。
【技术实现步骤摘要】
一种发光器件及其制备方法、显示装置
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]目前，受发光器件的结构限制，其发光亮度较低，不适于制备高分辨率的显示产品。
技术实现思路
[0003]本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
[0004]作为本公开实施例的一个方面，本公开实施例提供一种发光器件，包括：
[0005]第一金属层；
[0006]第一磊晶结构，位于第一金属层的一侧；
[0007]第二磊晶结构，位于第一磊晶结构的背离第一金属层的一侧；
[0008]第二金属层，位于第一磊晶结构与第二磊晶结构之间，第二金属层具有镂空部；
[0009]透明导电层，位于第二磊晶结构的背离所述第一金属层的一侧。
[0010]在一种实施方式中，第一磊晶结构和第二磊晶结构发出的光线位于同一波段范围内。
[0011]在一种实施方式中，第二金属层还包括键合部，镂空部在第一金属层上的正投影位于键合部在第一金属层上的正投影范围内。
[0012]在一种实施方式中，第二金属层还包括两个键合部，两个键合部在第一金属层上的正投影分别位于镂空部在第一金属层上的正投影的相对两侧。
[0013]在一种实施方式中，键合部在第一金属层上的正投影和镂空部在第一金属层上的正投影覆盖第一金属层，镂空部在第一金属层上的正投影的面积大于等于第一金属层的面积的二分之一且小于第一金属层的面积。
[0014]在一种实施方式中，该发光器件还包括：第一光线调节层，与第二金属层同层设置且位于镂空部所在位置。
[0015]在一种实施方式中，第一磊晶结构和第二磊晶结构分别包括沿出光方向层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二磊晶结构的第二半导体层朝向背离第一金属层的方向凸起形成第二光线调节层。
[0016]在一种实施方式中，该发光器件还包括：第二光线调节层，设置于第二磊晶结构的背离第一金属层的一侧。
[0017]在一种实施方式中，镂空部在第一金属层上的正投影与第二光线调节层在第一金属层上的正投影重叠，且镂空部的折射率小于所述第二磊晶结构的折射率。
[0018]在一种实施方式中，第一磊晶结构和第二磊晶结构分别包括沿出光方向层叠设置的第一电流扩散层、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第二电流扩散层，第一电流扩
散层和第二电流扩散层的材质均为透明导电材质。
[0019]在一种实施方式中，第一磊晶结构为多个，多个第一磊晶结构层叠设置于第二磊晶结构与第一金属层之间，相邻的第一磊晶结构之间设置有第二金属层。
[0020]作为本公开实施例的另一个方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述任一种实施方式的发光器件。
[0021]作为本公开实施例的又一个方面，本公开实施例提供一种发光器件的制备方法，包括：
[0022]分别形成第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆具有第一衬底以及层叠设置于第一衬底一侧的第一磊晶结构膜和第一金属膜，第一金属膜具有多个镂空部，第二晶圆具有第二衬底以及位于第二衬底一侧的第二磊晶结构膜；
[0023]将第二磊晶结构膜的背离第二衬底的一侧与第一金属膜的背离第一衬底的一侧键合并剥离第一衬底；
[0024]在第一磊晶结构膜背离第一金属膜的一侧形成第二金属膜；
[0025]分别对第二金属膜、第一磊晶结构膜、第一金属膜和第二磊晶结构膜进行图案化处理，形成多个发光单元，以使发光单元具有镂空部；
[0026]剥离第二衬底，并在发光单元背离图案化后的所述第二金属膜的一侧形成透明导电层，形成发光器件。
[0027]在一种实施方式中，形成第二晶圆包括：在镂空部所在位置形成第一光线调节膜。
[0028]在一种实施方式中，形成第二晶圆包括：
[0029]在生长衬底的一侧依次形成第一半导体膜、发光膜、第二半导体膜和掩膜图案；
[0030]将掩膜图案转移到第二半导体膜上；
[0031]在第二半导体膜的背离生长衬底的一侧设置第二衬底并剥离生长衬底。
[0032]在一种实施方式中，第一磊晶结构膜包括沿出光方向层叠设置的多个，多个第一磊晶结构膜包括在出光方向上位于底层的底层磊晶结构膜，在第一磊晶结构膜背离第一金属膜的一侧形成第二金属膜，包括：
[0033]在底层磊晶结构膜背离第一金属膜的一侧形成第二金属膜。
[0034]本公开实施例采用上述技术方案，将第一磊晶结构和第二磊晶结构层叠设置于第一金属层与透明导电层之间，并在第一磊晶结构与第二磊晶结构之间设置具有镂空部的第二金属层，使得在向第一金属层和透明导电层施加电压时，第一磊晶结构发出的光线可透过镂空部与第二磊晶结构发出的光线混合并出射，从而提高发光器件的发光亮度，使其适于制备高分辨率的显示产品，尤其适于制备Micro LED显示产品。
[0035]上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
[0036]在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。
[0037]图1示出根据本公开第一实施例的发光器件的剖面示意图。
[0038]图2A示出根据本公开实施例的第二金属层的一种俯视示意图。
[0039]图2B示出根据本公开实施例的第二金属层的另一种俯视示意图。
[0040]图2C示出根据本公开实施例的第二金属层的又一种俯视示意图。
[0041]图3A示出根据本公开第二实施例的一种发光器件的剖面示意图。
[0042]图3B示出根据本公开第二实施例的另一种发光器件的剖面示意图。
[0043]图4示出根据本公开第三实施例的发光器件的剖面示意图。
[0044]图5示出根据本公开第四实施例的发光器件的制备方法的流程示意图。
[0045]图6示出根据本公开第五实施例的发光器件的制备方法的流程示意图。
[0046]图7示出根据本公开第六实施例的发光器件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0047]在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0048]相关技术中，发光器件例如LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片通常仅具有单个磊晶结构，其发光亮度较低。在利用这种结构的发光器件制备显示产品时，一般通过增加发光本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一金属层；第一磊晶结构，位于所述第一金属层的一侧；第二磊晶结构，位于所述第一磊晶结构的背离所述第一金属层的一侧；第二金属层，位于所述第一磊晶结构与所述第二磊晶结构之间，所述第二金属层具有镂空部；透明导电层，位于所述第二磊晶结构的背离所述第一金属层的一侧。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一磊晶结构和所述第二磊晶结构发出的光线位于同一波段范围内。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二金属层还包括键合部，所述镂空部在所述第一金属层上的正投影位于所述键合部在所述第一金属层上的正投影范围内。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二金属层还包括两个键合部，所述两个键合部在所述第一金属层上的正投影分别位于所述镂空部在所述第一金属层上的正投影的相对两侧。5.根据权利要求3或4所述的发光器件，其特征在于，所述键合部在所述第一金属层上的正投影和所述镂空部在所述第一金属层上的正投影覆盖所述第一金属层，所述镂空部在所述第一金属层上的正投影的面积大于等于所述第一金属层的面积的二分之一且小于所述第一金属层的面积。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：第一光线调节层，与所述第二金属层同层设置且位于所述镂空部所在位置。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一磊晶结构和第二磊晶结构分别包括沿出光方向层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二磊晶结构的第二半导体层朝向背离所述第一金属层的方向凸起形成第二光线调节层。8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：第二光线调节层，设置于所述第二磊晶结构的背离所述第一金属层的一侧。9.根据权利要求7或8所述的发光器件，其特征在于，所述镂空部在所述第一金属层上的正投影与所述第二光线调节层在所述第一金属层上的正投影重叠，且所述镂空部的折射率小于所述第二磊晶结构的折射率。10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一磊晶结构和第二磊晶结构分别包括沿出光方向层叠设置的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，梁轩，王明星，齐琪，杨明坤，董学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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