单相单向声表面波换能器和改进的反射器制造技术

技术编号:3406016 阅读:151 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种声表面波(SAW)器件,包括:    在其中有垂直于SAW传播方向的开路反射器的压电基片上的规定的区域;以及    位于所述规定的区域内并被连接到相反的总线条的一对低反射率换能器电极,所述电极垂直于所述SAW传播方向,并被定位成所述电极对的激励中心位于离所述反射器在所述SAW的中心频率下约八分之七瑞利波长。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总的涉及声表面波(SAW)器件,更具体地,涉及用于SAW器件的单相单向声表面波换能器和改进的反射器
技术介绍
永无止境的趋于更小的电子器件的趋势不断地增加开发更小的和更有效的元件的压力。例如,无线通信系统不断需要被使用于信号处理的无源元件的增强的性能,特别是工作在1GHz以上频率的那些元件。在SAW滤波器的情形下,典型地要求的特性包括低插入损耗、低通带波纹(ripple)、高相位线性度和高选择性。为了满足这些要求,经常使用单相单向换能器(SPUDT)。SPUDT器件也可被使用于SAW传感器和SAW射频识别标签。SPUDT结构要求这样地放置反射器和换能器,以使得在每个单元内换能的中心相对于反射的中心进行移位。理想地,这个相移应当等于+π的一半(+π/2)。在大多数SPUDT结构中,八分之一瑞利SAW波长宽的电极和从四分之一到八分之三波长宽的反射器被使用来得到无反射的换能。在大多数情形下,电极是八分之一波长或更窄。因此,在GHz的范围,电极的临界尺寸超出对于基于光刻的大规模制作技术的可实现性的极限范围。对于工作在2GHz和更高的频率的SAW器件,波长约为2μm。因此,八分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:克林顿·S·哈特曼维克特·P·普莱斯基
申请(专利权)人:射频表面声波元件公司
类型:发明
国别省市:

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