单相单向声表面波换能器和改进的反射器制造技术

一种用于声表面波（ＳＡＷ）器件的单向换能器（１００）。在一个实施例中，器件包括在其中有垂直于ＳＡＷ传播方向（１７０）的开路反射器（１３０）的压电基片（１５０）上的规定的区域；以及位于规定的区域内和被连接到相反的总线条（１６０）的一对低反射率换能器电极（１４０），该电极（１４０）垂直于ＳＡＷ传播方向（１７０），以及被放置成电极对（１４０）的激励中心位于离反射器（１３０）在ＳＡＷ的中心频率下约八分之七瑞利波长。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的涉及声表面波(SAW)器件，更具体地，涉及用于SAW 器件的单相单向声表面波换能器和改进的反射器。
技术介绍
永无止境的趋于更小的电子器件的趋势不断地增加开发更小的 和更有效的元件的压力。例如，无线通信系统不断需要被使用于信号 处理的无源元件的增强的性能，特别是工作在1GHz以上频率的那些 元件。在SAW滤波器的情形下，典型地要求的特性包括低插入损耗、 低通带波紋(ripple )、高相位线性度和高选择性。为了满足这些要求， 经常使用单相单向换能器(SPUDT)。 SPUDT器件也可被使用于SAW 传感器和SAW射频识别标签。SPUDT结构要求这样地放置反射器和换能器，以使得在每个单 元内换能的中心相对于反射的中心进行移位。理想地，这个相移应当 等于土7t的一半(土:r/2)。在大多数SPUDT结构中，八分之一瑞利SAW波长宽的电极和从四分之一到八分之三波长宽的反射器被使用来得到 无反射的换能。在大多数情形下，电极是八分之一波长或更窄。因此，在GHz的范围，电极的临界尺寸超出对于基于光刻的大规模制作技术 的可实现性的极限范围。对于工作在2GHz和更高的频率的SAW器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＡＷ器件，包括：　其上有ＳＡＷ换能器的压电基片；和　位于所述基片上的反射器，用于反射对于由所述ＳＡＷ换能器生成的询问脉冲的应答，所述反射器被安排在所述基片上以基本上匹配于所述询问脉冲的绕射场。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：克林顿S哈特曼，维克特P普莱斯基，
申请(专利权)人：射频表面声波元件公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]